[实用新型]一种高抗光损伤阈值RTP开关

说明书

本实用新型公开了一种高抗光损伤阈值RTP开关，一种高抗光损伤阈值RTP开关，包括开关底座和晶体元件，所述开关底座一侧设置有固定轴，所述固定轴下方设置有接铸件，所述固定轴内侧固定有连接件，所述连接件一侧连接有高抗光元件，所述高抗光元件一侧设置有所述晶体元件，所述固定轴上方设置有电极接口A，所述电极接口A一侧设置有电极接口B，所述电极接口A和所述电极接口A外侧设置有相位补偿片，所述晶体元件前方设置有前通透晶体，所述晶体元件后方设置有后通透晶体，所述晶体元件上层设置有V+层，所述晶体元件下方设置有V‑层，所述电极接口A和所述电极接口A下方设置有金属套环，本实用新型高抗光损伤阈值，高消光比。

技术领域

本实用新型涉及一种RTP开关，具体为一种高抗光损伤阈值RTP开关。

背景技术

电光开关是激光系统的重要单元 ,利用它可以从锁模序列中选出单脉冲 ,可以对调 Q脉冲进行削波 ,它也是电光隔离器中不可缺少的元件。 电光开关性能的不断改进,对一个激光系统提高输出的成功率、稳定性起着十分关键的作用 ,合理地选择电光材料是提高开关性能的有效途径之一。 KDP和 LiNbO3 是目前广泛应用于普克尔盒的电光材料,但它们都有缺点。LiNbO3晶体普克尔盒有低的半波电压 ,也不潮解 ,但由于它的光学破坏阈值低 ,限制了它在高峰值功率激光系统中的应用 ,压电效应引起的声光作用使LiNbO3晶体在高重复率激光系统中的运用变得复杂。KDP晶体普克尔盒虽然也有较高的光学破坏阈值 ,但半波电压相对较高 ,还潮解 ,使用时需要密封在一个盒子内 ,在端面镀增透膜和加折射率匹配材料 ,进一步增加了器件的插入损耗。

RTP（磷酸钛氧铷）晶体属KTP族晶体，因其良好的电学与光学性能，包括较高的电阻率，但是由于消光比降低，严重影响了调Q效率，且大量的入射光被RTP晶体吸收，致使其温度上升，大大增加了这种结构的RTP电光调Q开关的不稳定性，并且目前的RTP开关没有体现出高抗光和损伤阈值等结合特性，所以急需一种高抗光损伤阈值RTP开关。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高抗光损伤阈值RTP开关，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高抗光损伤阈值RTP开关，一种高抗光损伤阈值RTP开关，包括开关底座和晶体元件，所述开关底座一侧设置有固定轴，所述固定轴下方设置有接铸件，所述固定轴内侧固定有连接件，所述连接件一侧连接有高抗光元件，所述高抗光元件一侧设置有所述晶体元件，所述固定轴上方设置有电极接口A，所述电极接口A一侧设置有电极接口B，所述电极接口A和所述电极接口A外侧设置有相位补偿片，所述晶体元件前方设置有前通透晶体，所述晶体元件后方设置有后通透晶体，所述晶体元件上层设置有V+层，所述晶体元件下方设置有V-层，所述电极接口A和所述电极接口A下方设置有金属套环。

优选的，所述接铸件设置在所述开关底座和所述固定轴外侧，保证了开关的稳定性。

优选的，所述高抗光元件固定在所述连接件和所述晶体元件之间，方便进行电性连接。

优选的，所述金属套环外层与所述相位补偿片连接，实现了相位补偿。

优选的，所述前通透晶体和所述后通透晶体为高抗光晶体，实现了高抗光的特性。

优选的，所述晶体元件的电阻率约10¹¹-10¹²Ωcm和抗光损伤阈值，实现了抗光损伤阈值。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型高重复频率电光应用的优良晶体，实现了较大的非线性光学和电光系数，无压电振荡效应，不潮解，高抗光损伤阈值，高消光比，综合了许多优点 ,如半波电压低、光学破坏阈值高、插入损耗小以及不明显的由压电效应引起的声光作用。

附图说明

图1为本实用新型整体结构图；

图2为本实用新型晶体元件结构图。