[实用新型]一种欠压及过压保护电路有效

专利信息
申请号: 202120302217.3 申请日: 2021-02-02
公开(公告)号: CN214227815U 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 曾霖锋;段润贵 申请(专利权)人: 湖南泽天智航电子技术有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20;H02H3/24
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 曾志鹏
地址: 410006 湖南省长沙市高*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种欠压及过压保护电路,通过将欠压开关单元和过压开关单元依次串联在直流电源单元和负载单元之间,当检测到直流电源单元的工作电压过低或过高时,通过欠压开关控制单元关断欠压开关单元的第一开关管或通过过压开关控制单元关断过压开关单元的第二开关管,从而断开直流电源单元和负载单元的连接,并在直流电恢复后,直流电源单元自动恢复对负载单元的供电,从而很好的保护了负载单元的安全。本实用新型的欠压及过压保护电路,具有电路结构简单、成本低廉、易于实现、稳定性高、可靠性好的特点。

技术领域

本实用新型属于电子器件保护技术领域,具体是涉及到一种欠压及过压保护电路。

背景技术

欠压过压保护电路是对电路中核心电路部分或核心器件(例如CPU、GPU、FPGA等)的保护。随着科技的不断发展,国内电子行业的突飞猛进,越来越多的电子产品对电源信号的要求越来越高,对电子产品的保护功能要求也越来越强烈,众所周知电子产品工作时都离不开电源信号,一旦输入的电源信号过高或者过低,会直接导致电子产品暂时的不工作,严重时会导致这个电子产品永久性的不工作,因此一个合适的电源信号输入显得至关重要。为了解决上述问题人们设计了相应的保护电路,但大多数基于专用芯片来设计,专用芯片保护电路成本高,电路复杂,带负载能力弱。

实用新型内容

本实用新型提供一种欠压及过压保护电路,以解决专用芯片保护电路成本高,电路复杂,带负载能力弱问题。

基于上述目的,本实用新型提供了一种欠压及过压保护电路,所述欠压及过压保护电路包括欠压开关控制单元、过压开关控制单元、欠压开关单元、过压开关单元;

所述欠压开关控制单元由第一电阻和第一稳压管组成;所述第一电阻的第一端与直流电源单元的信号输入端连接,第二端与所述第一稳压管的阴极连接;所述第一稳压管的阳极接地;

所述过压开关控制单元由第二电阻、第四电阻、第二稳压管和第三开关管组成;所述第二电阻的第一端与所述欠压开关单元的输出端连接,第二端与所述第二稳压管的阴极连接;所述第二稳压管的阳极接地;所述第三开关管的第一端连接至所述第二电阻和所述第二稳压管之间,第二端与所述欠压开关单元的输出端连接,第三端通过第四电阻接地;

所述欠压开关单元由第一开关管组成;所述第一开关管的第一端连接至所述第一电阻和所述第一稳压管之间,第二端与直流电源单元的信号输入端连接,第三端为所述欠压开关单元的输出端;

所述过压开关单元由第三电阻和第二开关管组成;所述第二开关管的第一端通过第三电阻与所述第三开关管的第三端连接,第二端与所述欠压开关单元的输出端连接,第三端与负载单元的信号输出端连接。

优选地,所述第一开关管为PMOS管,第一开关管的第一端、第二端和第三端分别为PMOS管的栅极、源极和漏极。

优选地,所述第二开关管为PMOS管,第二开关管的第一端、第二端和第三端分别为PMOS管的栅极、源极和漏极。

优选地,所述第三开关管为PMOS管,第三开关管的第一端、第二端和第三端分别为PMOS管的栅极、源极和漏极。

优选地,所述第二稳压管的稳定电压大于所述第一稳压管的稳定电压。

本实用新型提供的一种欠压及过压保护电路,通过将欠压开关单元和过压开关单元依次串联在直流电源单元和负载单元之间,当检测到直流电源单元的工作电压过低或过高时,通过欠压开关控制单元关断欠压开关单元的第一开关管或通过过压开关控制单元关断过压开关单元的第二开关管,从而断开直流电源单元和负载单元的连接,并在直流电恢复后,直流电源单元自动恢复对负载单元的供电,从而很好的保护了负载单元的安全。相较于专用芯片保护电路,本实施例提供的欠压及过压保护电路,具有电路结构简单、成本低廉、易于实现、稳定性高、可靠性好的特点。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:

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