[实用新型]一种直拉单晶反应装置有效

专利信息
申请号: 202120298427.X 申请日: 2021-02-02
公开(公告)号: CN214736202U 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 广东珠海香洲高景太阳能技术有限公司;广东金湾高景太阳能科技有限公司;广东高景太阳能科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 卢泽明
地址: 519000 广东省珠海市香洲区拱北*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 直拉单晶 反应 装置
【说明书】:

实用新型提供一种直拉单晶反应装置,包括内保温层、外保温层、内保温筒和外保温筒,所述外保温筒设于所述内保温筒的外围,所述外保温筒与所述内保温筒之间设有保温间隙,所述内保温层与所述内保温筒紧密连接,所述外保温层与所述外保温筒紧密连接。本实用新型在内保温筒之外还设有一外保温筒,两者之间存在保温间隙,在内保温筒和外保温筒的壁面上均紧密连接有保温层,形成双层热场,提高了保温性,热场一致性好,增加热场使用寿命;通过将内保温筒和外保温筒的底部可拆卸地连接于所述底板,且壳体与底板也是可拆卸连接,方便拆卸搬运,减少劳动强度。

技术领域

本实用新型属于单晶硅生产技术领域,尤其涉及一种直拉单晶反应装置。

背景技术

单晶硅作为一种半导体材料,一般用于制造集成电路和其他电子元件,单晶硅的生长技术有两种:区熔法和直拉法,其中直拉法是目前普遍采用的方法。直拉法是通过电阻加热,将装在石英坩埚中的多晶硅熔化,并保持略高于硅熔点的温度,在惰性气体的保护下,经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤,完成晶体生长。

在单晶硅生产中,目前主流使用的是保温筒+软毡/固毡的单层保温方式进行拉晶。这种单层保温结构的热场中,由于拉晶过程中的高温,软毡会粉化,导致保温性变差,功率上升,成晶效果变差,需要定期对保温毡进行更换。另外地,单层保温结构的热场在使用过程中,保温效果会逐步变差,一致性变差,无法满足对单晶硅高质量生产的需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术存在的不足,提供一种直拉单晶反应装置,解决了现有技术中单层保温结构的不足,克服了保温效果差、生产一致性差、热场使用寿命短的缺陷。

本实用新型提供一种直拉单晶反应装置,包括内保温层、外保温层、内保温筒和外保温筒,所述外保温筒设于所述内保温筒的外围,所述外保温筒与所述内保温筒之间设有保温间隙,所述内保温层与所述内保温筒紧密连接,所述外保温层与所述外保温筒紧密连接。

进一步地,所述内保温层设于所述内保温筒的外壁。

进一步地,所述外保温层设于所述外保温筒的外壁。

进一步地,还包括内盖板,所述内盖板设于所述内保温筒顶部。

进一步地,还包括底板和壳体,所述内保温筒和外保温筒的底部均可拆卸地连接于所述底板,所述壳体设于所述外保温筒的外围,所述壳体与所述底板可拆卸连接。

进一步地,所述壳体的内壁与所述外保温层紧密连接。

进一步地,所述内保温筒和外保温筒为石墨或碳碳材质制成,所述内保温层和外保温层为软毡。

进一步地,所述外保温层的厚度为50~115mm。

进一步地,所述内保温层的厚度为10~30mm。

进一步地,所述内保温层与所述外保温筒内壁之间的间隙为115mm。

本实用新型的有益效果:

本实用新型提供一种直拉单晶反应装置,在内保温筒之外还设有一外保温筒,两者之间存在保温间隙,在内保温筒和外保温筒的壁面上均紧密连接有保温层,形成双层热场,提高了保温性,热场一致性好,增加热场使用寿命。

本实用新型将内保温筒和外保温筒的底部可拆卸地连接于所述底板,且壳体与底板也是可拆卸连接,方便拆卸搬运,减少劳动强度。

附图说明

利用附图对本实用新型作进一步说明,但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制,对于本领域的普通技术人员,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据以下附图获得其它的附图。

图1是本实施例1的一种直拉单晶反应装置的俯视图。

图2是在图1中沿A-A剖面线下的剖视图。

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