[实用新型]圆形阴极防交叉污染结构

说明书

本实用新型涉及圆形阴极防交叉污染结构，包括溅射靶，溅射靶的靶头位于溅射靶靶口，靶口外增设一个防护罩筒，防护罩筒的外形呈矩形片蜷曲形成的筒状，其周长大小与溅射靶靶口的周长一致。该防交叉污染结构，圆筒形的防护罩，其内可以阻挡一部分小弧度飞溅的离子，以免飞入相邻的溅射靶靶头上造成污染，其外可以阻挡相邻溅射靶上小弧度飞溅出来的离子，防止溅射到溅射靶靶头上造成污染，同时防护罩上通过卡箍，采用紧固螺钉固定，可以实现自由摘取和更换。

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射领域，具体地涉及磁控溅射圆形阴极防交叉污染结构。

背景技术

磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。

磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。传统的圆形阴极溅射靶，由于靶头位于溅射靶的靶口，在实际使用中，如果溅射靶靠得比较近或者进行两种颜色的溅射时，会由于受电场和磁场的影响，使两个溅射靶发生交叉，造成污染，影响溅射效果。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服技术背景中提到的不足，提供一种圆形阴极防交叉污染结构，该结构能够防止在离子溅射过程中相互影响，交叉污染。

本实用新型的技术方案如下：圆形阴极防交叉污染结构，包括溅射靶，所述溅射靶的靶头位于溅射靶靶口，所述靶口外增设一个防护罩筒，防护罩筒的外形呈矩形片蜷曲形成的筒状，其周长大小与溅射靶靶口的周长一致。

作为其中一种改进方案，所述防护罩筒与溅射靶靶口连接处设有卡箍，所述卡箍通过紧固螺钉使两者紧密连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：该防交叉污染结构，圆筒形的防护罩，其内可以阻挡一部分小弧度飞溅的离子，以免飞入相邻的溅射靶靶头上造成污染，其外可以阻挡相邻溅射靶上小弧度飞溅出来的离子，防止溅射到溅射靶靶头上造成污染，同时防护罩上通过卡箍，采用紧固螺钉固定，可以实现自由摘取和更换，在单独使用时不需要防护罩可以取下，使得圆形阴极的应用更灵活和广泛。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型防交叉污染结构的旧结构示意图；

图2为本实用新型防交叉污染结构的新结构示意图；

其中，1、靶头；2、溅射靶；3、防护罩筒；4、卡箍；5、紧固螺钉。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。

如图1所示，以前的圆形阴极的靶头1位于溅射靶2的靶口，当两个圆形阴极使用时，会由于位置关系比较近，而造成离子的交叉污染，影响溅射效果。

如图2所示，为了防止圆形阴极交叉污染，在传统圆形阴极结构的基础上在靶口外增设一个防护罩筒3，防护罩筒3的外形呈矩形片蜷曲形成的筒状，其周长大小与溅射靶靶口的周长一致。

防护罩筒3与溅射靶2靶口连接处设有卡箍4，所述卡箍4通过紧固螺钉5使两者紧密连接。