[实用新型]一种多端口基站天线

权利要求书

1.一种多端口基站天线，包括反射板、设置在所述反射板正面的纵向两侧的第一辐射阵列和第二辐射阵列、第一低频移相器和第二低频移相器，所述第一辐射阵列包括第一低频阵列，所述第一低频阵列包括多个沿所述反射板的纵向依次间隔排列的第一低频辐射单元，所述第二辐射阵列包括第二低频阵列，所述第二低频阵列包括多个沿所述反射板的纵向依次间隔排列的第二低频辐射单元，其特征在于，

还包括Lange电桥，所述Lange电桥包括第一输入端口、第一输出端口、第二输入端口和第二输出端口，所述第一输入端口和所述第一输出端口之间通过第一耦合部连接，所述第二输入端口和所述第二输出端口之间通过第二耦合部连接；

所述第一低频移相器包括多个第一连接端口，所述多个第一连接端口与所述多个第一低频辐射单元一一对应，所述多个第一连接端口中，其中第一个第一连接端口与所述第一输入端口连接，所述多个第一低频辐射单元中，其中第一个第一低频辐射单元与所述第一输出端口连接，剩下的第一低频辐射单元与剩下的第一连接端口一一对应连接；

所述第二低频移相器包括多个第二连接端口，所述多个第二连接端口与所述多个第二低频辐射单元一一对应，所述多个第二连接端口中，其中第一个第二连接端口与所述第二输入端口连接，所述多个第二低频辐射单元中，其中第一个第二低频辐射单元与所述第二输出端口连接，剩下的第二低频辐射单元与剩下的第二连接端口一一对应连接；

所述第一个第一低频辐射单元和第一个第二低频辐射单元组成二元子阵。

2.根据权利要求1所述的多端口基站天线，其特征在于，所述第一辐射阵列还包括与所述第一低频阵列共轴的第一高频阵列，所述第一高频阵列包括多个第一高频辐射单元，所述第一高频辐射单元的数量是所述第一低频辐射单元的数量的两倍，所述多个第一低频辐射单元与其中一半的第一高频辐射单元沿所述反射板的纵向依次间隔交替排列，另外一半的第一高频辐射单元一一对应嵌套于所述多个第一低频辐射单元中。

3.根据权利要求1所述的多端口基站天线，其特征在于，所述第二辐射阵列还包括与所述第二低频阵列共轴的第二高频阵列，所述第二高频阵列包括多个第二高频辐射单元，所述第二高频辐射单元的数量是所述第二低频辐射单元的数量的两倍，所述多个第二低频辐射单元与其中一半的第二高频辐射单元沿所述反射板的纵向依次间隔交替排列，另外一半的第二高频辐射单元一一对应嵌套于所述多个第二低频辐射单元中。

4.根据权利要求1所述的多端口基站天线，其特征在于，所述Lange电桥包括微带基片以及设置到所述微带基片的微带线电路；所述微带线电路包括所述第一输入端口、第一输出端口、第二输入端口、第二输出端口、第一耦合部和第二耦合部；所述第一耦合部包括第一耦合枝和第二耦合枝，所述第一耦合枝的首端与所述第一输入端口连接，所述第二耦合枝的首端与所述第一输出端口连接，所述第一耦合枝的末端和第二耦合枝的首端之间、所述第二耦合枝的末端和第一耦合枝的首端之间分别通过第一连接线跨接。

5.根据权利要求4所述的多端口基站天线，其特征在于，所述第二耦合部包括第三耦合枝、第四耦合枝和转接枝，所述转接枝的首端、末端分别连接到所述第二输入端口和第二输出端口，所述第三耦合枝的首端、第四耦合枝的首端分别连接到所述第二输入端口、第二输出端口，第三耦合枝的末端、第四耦合枝的末端分别通过第二连接线与所述转接枝跨接。

6.根据权利要求5所述的多端口基站天线，其特征在于，所述第一输入端口、第一输出端口、第二输入端口、第二输出端口、第一耦合枝、第二耦合枝、第三耦合枝、第四耦合枝和转接枝设置在所述微带基片的正面，所述第一连接线、第二连接线设置在所述微带基片的背面。

7.根据权利要求6所述的多端口基站天线，其特征在于，所述第一耦合枝的首端与对应的第一连接线之间、所述第一耦合枝的末端与对应的第一连接线之间、所述第二耦合枝的首端与对应的第一连接线之间、所述第二耦合枝的末端与对应的第一连接线之间分别通过第一金属化过孔连接。