[发明专利]一种超低功耗可编程低压差线性稳压源电路有效
| 申请号: | 202111681316.8 | 申请日: | 2021-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN114296503B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
| 发明(设计)人: | 郑志渊;姜秀彬;张琪;黄凯;郑丹丹 | 申请(专利权)人: | 杭州朔天科技有限公司 |
| 主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 孙孟辉 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功耗 可编程 低压 线性 稳压 电路 | ||
1.一种低压差线性稳压源电路,包括超低功耗电流源电路、可编程基准电压产生电路、超低功耗振荡器电路和超低功耗电压跟随器;其特征在于:
所述超低功耗电流源电路产生稳定的电流源偏置电压VP和VN用于供给可编程基准电压产生电路和超低功耗电压跟随器偏置;所述超低功耗振荡器电路产生的三路控制时钟P1、P2、P3给可编程基准电压产生电路以区分不同工作区间;所述可编程基准电压产生电路接收超低功耗电流源电路产生的电流源偏置电压VP和超低功耗振荡器产生的控制时钟以及编程选择输入Msel[x:0]、Csel[n:0],输出基准电压VREF;所述超低功耗电压跟随器接收超低功耗电流源电路产生的电流源偏置电压VN和可编程基准电压产生电路产生的基准电压VREF,经过电压跟随后输出不随负载变化的稳定电压VOUT;
所述可编程基准电压产生电路通过如下方式构成:第一PMOS管M1的栅极分别和电流源偏置电压VP、第二PMOS管M2的栅极相连,第一PMOS管M1的源极与电源电压VCC相连,第一PMOS管M1的漏极分别和第一PNP三极管的发射极、第三PMOS管M3的栅极、第一开关管S1、第六开关管S6、第八开关管S8的第一端口相连;第二PMOS管M2的源极与电源电压VCC相连,第二PMOS管M2的漏极分别与第三PMOS管M3和第四PMOS管M4的源极相连,第一PMOS管M1和第二PMOS管M2共同组成电流镜电路;第一开关管S1的第三端口控制端和第三开关管S3、第五开关管S5、第六开关管S6、第七开关管S7、第八开关管S8的第三端口控制端相连,并由超低功耗振荡器的控制时钟P1控制,第一开关管S1的第二端口分别和第一电容C1的第一端口、第二开关管S2的第一端口、第四开关管S4的第一端口相连接;第一电容C1的第二端口连接到公共地GND;第二开关管S2的第三端口控制端和第四开关管S4、第九开关管S9的第三端口控制端相连,并由超低功耗振荡器的控制时钟P2控制,第二开关管S2的第二端口分别和可编程电容C2的第一端、第三开关管S3的第一端相连;第三PMOS管M3的漏极分别和二极管连接的第一可编程的NMOS管M5的漏极、NMOS管M5的栅极、第二可编程的NMOS管M6的栅极相连;第四PMOS管M4的栅极和第四PMOS管M4的漏极短接并分别和第二NMOS管M6的漏极、第五开关管S5、第七开关管S7的第一端口相连;第四开关管S4的第二端口分别和第六开关管S6第一端口、第三电容C3的第二端口相连;第五开关管S5的第二端口分别和第三电容C3、第九开关管S9的第一端口相连;第九开关管S9的第二端口分别和第八开关管S8的第二端口、第四电容C4的第二端口相连;第七开关管S7的第二端口分别和第四电容C4的第一端口、第十开关管S10的第一端口相连;第十开关管S10的第三端口由超低功耗振荡器的控制时钟P3控制,第十开关管S10的第二端口与第五电容C5的第一端口相连并作为基准电压VREF端口;第一PNP三极管Q1的集电极和基极短路并分别与第一电容C1的第二端口、可编程电容C2的第二端口、第三开关管S3的第二端、第一可编程的NMOS管M5的源极、第二可编程的NMOS管M6的源极、第五电容C5的第二端口共同连接到公共地GND。
2.如权利要求1所述的低压差线性稳压源电路,其特征在于:所述超低功耗电流源电路产生电流源偏置电压VP给可编程基准电压产生电路的PMOS电流镜电路第一PMOS管M1、第二PMOS管M2提供偏置电压,使第一PMOS管M1、第二PMOS管M2的漏极电流不随电源电压波动,另外产生电流源偏置电压VN给超低功耗电压跟随器的NMOS电流镜器件NMOS管M7提供偏置电压,使NMOS管M7的漏极电流不随电源电压波动。
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