[发明专利]一种变压器的绕制方法及高电流上升率可控硅的驱动电路

权利要求书

1.一种变压器的绕制方法，其特征在于：

包括变压器铁芯，在磁芯的一边磁柱上套装初级环氧桶骨架，初级骨架两头离变压器铁芯端头有一定缝隙；

骨架外层用宽紫铜皮绕制初级绕组N1，为1匝或2匝，根据下面公式计算匝数：

其中Vi为变压器T1的输入电压，即前极电源U1的输出电压；t为MOS管V1的导通时间，即为被驱动可控硅需要的触发脉冲宽度，B为变压器铁芯的磁感应强度，Ae为变压器的铁芯截面积；

初级宽紫铜皮绕组N1的起头和末头两端分别用两根1.0mm²导线引出，引出后就近双绞，减小初级回路电感；

在初级绕组N1之外，利用聚酰亚胺和杜邦纸复合材料叠加绕制主绝缘层，根据次级隔离电压大于10kV要求绝缘层绕制大于5层，每层耐压大于2kV；

在主绝缘层外，再用1.0mm²导线间隔绕制次级绕组N2、N3、N4，次级绕组N2、N3、N4之间及两端对外分别放置绝缘隔板，次级绕组匝数同初级绕组匝数，实现变压器的变比为1:1:1:1；

次级绕组N2、N3、N4各自双绞引出，全部绕制安装完成后，变压器整体进行环氧树脂灌封。

2.根据权利要求1所述的一种变压器的绕制方法，其特征在于：

变压器铁芯选用硅钢、非晶或铁氧体磁芯。

3.根据权利要求1所述的一种变压器的绕制方法，其特征在于：

变压器铁芯选用UY20铁氧体磁芯。

4.一种高电流上升率可控硅的驱动电路，基于依赖权利要求1-3任意一项所述的方法制成的变压器，其特征在于：

包括前级电源U1的正端接电阻R1一端，电阻R1另外一端接MOS管V1的D和电容C1的一端，电容C1的另外一端连接二极管V2的阳极和变压器T1初级N1一端，二极管V2阴极连接电阻R2一端，电阻R2另外一端同时与变压器T1初级N1另一端、MOS管V1的S、电源U1的负端相连；

变压器T1的次级N2一端连接二极管V3的阴极和电阻R3的一端，变压器T1的次级N2另外一端连接二极管V3的阳极和输出端子XS1的2脚，R3的另外一端连接输出端子XS1的1脚，XS1的1脚和2脚输出，连接被驱动可控硅的栅极和阴极；

变压器T1的次级N3一端连接二极管V4的阴极和电阻R4的一端，变压器T1的次级N3另外一端连接二极管V4的阳极和输出端子XS2的2脚，R4的另外一端连接输出端子XS2的1脚；变压器T1的次级N4一端连接二极管V5的阴极和电阻R5的一端，变压器T1的次级N5另外一端连接二极管V5的阳极和输出端子XS3的2脚，R5的另外一端连接输出端子XS3的1脚。