[发明专利]一种三维离子系综微米级形态调控方法

权利要求书

1.一种三维离子系综微米级形态调控方法，其特征在于，包括：

构建由四组平行的极杆组成的四极杆线形离子阱结构；其中，四组平行的极杆的截面质心呈正方形排布；

对四极杆线形离子阱结构进行离子的径向约束：四组平行的极杆中，在一对对角极杆上施加正向射频势，在另一对对角极杆上施加反向射频势，以实现离子的径向约束；

对四极杆线形离子阱结构进行离子的轴向约束：四组平行的极杆中，在每一组极杆的两端共八个端上叠加直流电势，以实现离子的轴向约束。

2.根据权利要求1所述的三维离子系综微米级形态调控方法，其特征在于，每组极杆由三段构成，每一段均为无磁不锈钢，依次编号为A₁、A₂、A₃、A₄、B₁、B₂、B₃、B₄、C₁、C₂、C₃和C₄；其中，下角标编号相同的构成一组极杆，每组极杆的三段电极间通过共轴陶瓷环紧密衔接并实现绝缘隔离。

3.根据权利要求2所述的三维离子系综微米级形态调控方法，其特征在于，在一对对角极杆上施加正向射频势，在另一对对角极杆上施加反向射频势，包括：

在一对对角电极A₁、B₁、C₁、A₃、B₃、C₃上施加正向射频势；

在另一对对角极A₂、B₂、C₂、A₄、B₄、C₄上施加反向射频势。

4.根据权利要求3所述的三维离子系综微米级形态调控方法，其特征在于，

正向射频势为：1/2U_rfcos(Ω_rft)；

反向射频势为：-1/2U_rfcos(Ω_rft)；

其中，U_rf表示所加射频势的幅度，Ω_rf表示所加射频势的频率，t表示时间。