[发明专利]一种复合高压PMOS管在审
| 申请号： | 202111666864.3 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114584129A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 林立谨;杨全;谷申 | 申请（专利权）人： | 南京市智凌芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/094 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市中国（江苏）*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 高压 pmos | ||
1.一种复合高压PMOS管，其特征在于：包括NMOS管和PMOS管，所述NMOS的漏极为复合高压PMOS管的输入端，NMOS的源极与PMOS管的源极连接，PMOS管漏极为复合高压PMOS管的输出端，PMOS的栅极为复合高压PMOS管的第一控制端，NMOS的栅极为复合高压PMOS管的第二控制端。
2.根据权利要求1所述的复合高压PMOS管，其特征在于：所述NMOS管为高压DepletionNMOS。
3.根据权利要求1所述的复合高压PMOS管，其特征在于：所述PMOS管为中低压PMOS。
4.根据权利要求1所述的复合高压PMOS管，其特征在于：所述第一控制端由控制电路1控制，第二控制端由控制电路2控制。
5.根据权利要求4所述的复合高压PMOS管，其特征在于：所述控制电路2中电阻R1的第一端与控制信号VIN连接，电阻R1的第二端与NMOS N1的漏极和栅极连接，NMOS N1的源极与NMOS N2的漏极和栅极连接，NMOS N2的源极与地连接，电阻的第二端与NMOS管的栅极连接。
6.根据权利要求4所述的复合高压PMOS管，其特征在于：所述控制电路2中电阻R1的第一端与控制信号VIN连接，电阻R1的第二端与稳压二极管的阴极连接，稳压二极管的阳极与地连接，电阻的第二端与NMOS管的栅极连接。
7.根据权利要求1所述的复合高压PMOS管，其特征在于：所述控制电路1为电压偏置电路。
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