[发明专利]多通道光谱滤光片中间腔层的制备方法

权利要求书

1.多通道光谱滤光片中间腔层的制备方法，其特征是：包括以下步骤，且以下步骤顺次进行，

步骤一、利用薄膜制备技术在基底上镀制由高折射率、低折射率薄膜交替组成的反射膜堆；

步骤二、在所述步骤一制备的反射膜堆上旋涂负性光刻胶；并将旋涂后的样品放在热板上进行前烘烤；

步骤三、采用激光直写的方法对旋涂的负性胶进行台阶式曝光；

步骤四、将激光直写完的样品放在热板上进行后烘烤；

步骤五、将上述样品放入显影液中进行光刻胶显影，显影时间为0.5-3分钟，以去除未曝光的光刻胶；曝光剂量与光刻胶的去除量成反比，根据曝光剂量大小形成阵列式周期排列的负性光刻胶层，以作为光谱滤光片的中间腔层；

步骤六、在所述步骤五获得中间腔层上镀制与步骤一反射膜堆完全对称的由高折射率、低折射率薄膜交替组成的反射膜堆；

至此，多通道光谱滤光片中间腔层制备完成。

2.根据权利要求1所述的多通道光谱滤光片中间腔层的制备方法，其特征是：所述步骤一采用的薄膜制备技术包括离子束辅助的电子束蒸发技术、磁控溅射技术、离子束溅射技术以及等离子体增强化学气相沉积技术。

3.根据权利要求1所述的多通道光谱滤光片中间腔层的制备方法，其特征是：所述步骤一的高折射率薄膜包括TiO2、Ta2O5、HfO2、Si、Ge以及ZnSe，低折射率薄膜包括SiO2、Al2O3、MgF2、YF3以及YbF3。

4.根据权利要求1所述的多通道光谱滤光片中间腔层的制备方法，其特征是：所述步骤二光刻胶优选SU-8型号的负性胶，旋涂速率为2000-5000转/分，光刻胶厚度为300纳米-1000纳米。

5.根据权利要求1所述的多通道光谱滤光片中间腔层的制备方法，其特征是：所述步骤二和所述步骤四的烘烤温度均为80-120度，烘烤时间为1-5分钟。

6.根据权利要求1所述的多通道光谱滤光片中间腔层的制备方法，其特征是：所述步骤三激光波长为405纳米，每个台阶单元为5-30微米尺寸的正方形，曝光剂量从10-100mJ/cm²台阶式递增，台阶数量为8-100个，其排列方式为阵列式周期排列。