[发明专利]一种提高光刻胶模型精度的方法在审

申请号：	202111644843.1	申请日：	2021-12-29
公开（公告）号：	CN114330127A	公开（公告）日：	2022-04-12
发明（设计）人：	梁洪齐	申请（专利权）人：	深圳晶源信息技术有限公司
主分类号：	G06F30/27	分类号：	G06F30/27;G06N3/04;G06N3/08
代理公司：	深圳市智享知识产权代理有限公司 44361	代理人：	罗芬梅
地址：	518000 广东省深圳市福田区福保***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种提高光刻模型精度方法
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【说明书】：

本发明涉及建模领域，特别涉及一种提高光刻胶模型精度的方法。本发明的提高光刻胶模型精度的方法先提供一种卷积核，卷积核包括若干点，卷积核中的每一点均可变化且形成随机变量组；基于卷积核建立光刻胶模型；随机变量组每变化一次定义为一次优化，基于每次随机变量组变化得到所对应的模型的方均根，直到达到预设优化目标并记录该对应的随机变量组的数值。通过使用每一点均为变量的卷积核的设计，使得优化时可以在多个方向进行尝试，使得优化后的光刻胶模型更接近于实际模型，解决了现有技术光刻胶模型建模精度低下的问题。

【技术领域】

本发明涉及建模领域，特别涉及一种提高光刻胶模型精度的方法。

【背景技术】

在现代极大规模集成电路制造工艺中，光刻工艺占据核心地位。在对光刻工艺中的建模中，光刻胶模型主要分为两种：严格仿真模型和经验模型。严格仿真模型基于严格的物理推导得出准确的结果，但计算成本高，生产中常采用经验模型。经验模型通过一些光刻胶项的线性叠加来拟合光刻胶的形貌，使得到的模型尺寸与给定的关键尺寸的测量值接近。

不同的光刻胶项可用来表征不同的物理、化学效应，如分子扩散、酸碱中和等。通常，光刻胶项中会包含卷积运算，即包含卷积核。卷积核可基于不同的形式生成，如高斯卷积核、洛伦兹核等。

现有技术的光刻胶模型的卷积核变量少，有着拟合度不足，从而导致建模精度低下的问题。

【发明内容】

为解决现有技术建模精度低下的问题，本发明提供了一种提高光刻胶模型精度的方法。

本发明解决技术问题的方案是提供一种提高光刻胶模型精度的方法，包括如下步骤：

提供一种卷积核，卷积核包括若干点，其中的每一点均可变化且形成随机变量组；

基于所述卷积核建立光刻胶模型；

随机变量组每变化一次定义为一次优化，基于每次随机变量组变化得到所对应的光刻胶模型的方均根，直到达到预设优化目标并记录该对应的随机变量组的数值。

优选地，所述方均根的公式为其中mcd_i为预设的光刻胶模型的特定形状的第i个位置的尺寸，wcd_i表示实际需要做出的光刻胶模型的特定形状的第i个位置的尺寸，N为测量的光刻胶模型尺寸的个数。

优选地，所述卷积核每次变化为卷积核内所有点一起变化。

优选地，所述预设目标设置为每次优化后方均根下降的百分比，方均根下降小于预设百分比后，停止优化。

优选地，所述预设目标设置为优化次数，优化达到预设次数时，停止优化。