[发明专利]一种平衡光电探测器二元阵列光纤耦合结构及制作方法

权利要求书

1.一种平衡光电探测器二元阵列光纤耦合结构，其特征在于，采用铅锡焊接工艺将二元阵列光纤焊接在金属管壳中；金属管壳包括金属套筒和金属腔体,金属套筒穿透式嵌入在金属腔体壁中；二元阵列光纤包括两根光纤、金属镍管、套管和两个光纤连接器，采用金锡焊接工艺将两根光纤共同固定在金属镍管中，两根光纤一端裸露在金属镍管外，另一端分别与光纤连接器连接，套管包裹两根光纤并与金属镍管连接；二元阵列光纤固定在金属套筒中，二元阵列光纤的金属化一端与金属腔体中的芯片光敏面同轴对齐，另一端置于金属腔体外；二元阵列光纤的金属镍管长度为5mm～15mm，直径为1.0mm～2mm；二元阵列光纤的光纤中心间距为240μm～400μm；二元阵列光纤长度为0.5m～2m，两根光纤长度精度≤0.5mm；二元阵列光纤前端碾磨成相同角度的斜面，倾斜角度α为5°～89°，两根光纤的斜面共面。

2.根据权利要求1所述的一种平衡光电探测器二元阵列光纤耦合结构，其特征在于，金属腔体长为10 mm～50mm，宽为8mm ～85mm，高为5 mm～20mm；金属套筒内径为1.2mm～3mm。

3.根据权利要求1所述的一种平衡光电探测器二元阵列光纤耦合结构，其特征在于，光纤连接器为FC/APC、FC/PC；光纤采用单模、多模。

4.根据权利要求1所述的一种平衡光电探测器二元阵列光纤耦合结构，其特征在于，光纤采用保偏光纤。

5.一种平衡光电探测器二元阵列光纤耦合结构的制作方法，其特征在于，该方法用于制备权利要求1所述的一种平衡光电探测器二元阵列光纤耦合结构，包括以下步骤：

S1：采用浓硫酸浸泡法去除光纤前端的表面保护层；

S2：将去除保护层的光纤部分浸入氢氧化钠溶液中，再浸入去离子水中清洗，进行除油；

S3：将去除保护层的光纤部分浸入氢氟酸中浸泡，进行粗化；

S4：将去除保护层的光纤部分浸入氯化锡和盐酸的混合溶液中浸泡，随后在蒸馏水中浸泡，进行敏化；

S5：将去除保护层的光纤部分浸入氯化钯和盐酸的混合溶液中浸泡，进行活化；

S6：采用化学镀镍工艺在去除保护层的光纤部分上镀涂金属镍；

S7：采用电镀工艺在光纤的镍层上镀金；

S8：采用电镀工艺在金属镍管上镀金；

S9：采用金锡焊接工艺将两根镀金的光纤焊接到镀金金属镍管中，镍管距离光纤前端一定距离；

S10：采用光纤端面研磨机同时将两根光纤前端研磨成一定角度的斜面，让两根光纤前端齐平，斜面位于同一个平面内；

S11：光纤上套上套管，在镍管与套管的连接处涂覆固化胶；

S12：将两根光纤等长切割，并在光纤末端分别制作连接器，两光纤长度误差≤0.5mm，形成二元阵列光纤；

S13：根据应用需求，制作相应尺寸的金属腔体和金属套筒；

S14：采用金锡焊接工艺将金属套筒焊接到金属腔体中；

S15：采用电镀工艺在金属管壳上镀金；

S16：采用铅锡焊接工艺将二元阵列光纤焊接到金属管壳的金属套筒中。