[发明专利]可调谐太赫兹吸波器在审
申请号: | 202111638426.6 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114284749A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 王度;崔恩康;雷诚;严若鹏;赵爽;刘胜 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01Q17/00 | 分类号: | H01Q17/00;H01Q15/00;H05K9/00 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 罗敏清 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调谐 赫兹 吸波器 | ||
1.一种可调谐太赫兹吸波器,其特征在于,包括衬底层以及固定在衬底层上的薄膜层;其中,
衬底层,在所述衬底层上开设有相互独立的第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽通过流道连通,在所述第二凹槽内加工成型有超表面阵列结构,在第一凹槽中注入具有所需介电常数的液体,液体通过流道流入到第二凹槽中;
薄膜层,其密封在衬底层上以使得第一凹槽和第二凹槽形成为封闭的腔体,所述超表面阵列结构与所述薄膜层之间具有间距。
2.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器,其特征在于,所述衬底层由高掺杂硅制成。
3.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器,其特征在于,所述超表面阵列结构包括周期排布的多个梯形凸台结构,所述梯形凸台结构的横截面积随着靠近薄膜层逐渐减小,两两相邻的梯形凸台结构之间具有供液体流过的沟道。
4.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器,其特征在于,超表面阵列结构的结构参数为101μm数量级,通过改变其结构参数,从而改变吸波器的吸波特性。
5.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器,其特征在于,薄膜层与衬底层之间是通过硅氧键实现不可逆键合的。
6.根据权利要求1所述的适用于可调谐太赫兹吸波器,其特征在于,所述第一凹槽还与液压装置连通,所述液压装置通过管道穿过薄膜层伸入至第一凹槽中并通过控制注入至第一凹槽中液体的体积从而控制第一凹槽和第二凹槽中液体的高度进而实现调节吸波器的吸波特性。
7.根据权利要求1所述的适用于可调谐太赫兹吸波器,其特征在于,所述薄膜层由柔性聚合物材料制成,通过调节薄膜层的厚度也能实现调节吸波器的吸波特性。
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