[发明专利]一种太赫兹奇次倍频器在审
| 申请号： | 202111634237.1 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114362680A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王璞;于磊;杨周明;鲁肸肸 | 申请（专利权）人： | 成都天成电科科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B19/14 | 分类号： | H03B19/14 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 刘业芳 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 倍频器 | ||
1.一种太赫兹奇次倍频器，其特征在于，包括：输入波导腔体、微带腔体、输出波导腔体和倍频电路；
所述微带腔体的一端与所述输出波导腔体连通；所述微带腔体的另一端贯穿所述输入波导腔体后，与所述输入波导腔体连通；
所述倍频电路设置于所述微带腔体内，包括：通过微带线依次连接的接地结构、输入探针、低通滤波器、肖特基二极管和输出探针。
2.根据权利要求1所述的太赫兹奇次倍频器，其特征在于，所述输入探针，用于将输入信号从输入波导腔体内过渡至低通滤波器；
所述低通滤波器，用于对输入信号进行滤波；
所述肖特基二极管，用于对进行滤波后的输入信号进行变频处理，得到包含奇次谐波分量的高次谐波；
所述输出探针，用于将所述包含奇次谐波分量的高次谐波过渡至输出波导腔体。
3.根据权利要求1所述的太赫兹奇次倍频器，其特征在于，所述输入波导腔体包括：第一标准波导和减高波导；
所述微带腔体的另一端贯穿所述减高波导后，与所述输入波导腔体连通。
4.根据权利要求1所述的太赫兹奇次倍频器，其特征在于，所述输出波导腔体包括：第二标准波导；
所述微带腔体的一端与所述第二标准波导连通。
5.根据权利要求1所述的太赫兹奇次倍频器，其特征在于，还包括：设置于所述微带腔体内的介质基片；
所述微带线以及通过微带线依次连接的接地结构、输入探针、低通滤波器、肖特基二极管和输出探针均固定于所述介质基片上。
6.根据权利要求1所述的太赫兹奇次倍频器，其特征在于，所述接地结构包括：底板和设置于所述底板上的两条接地金丝，所述底板与所述微带线连接；
所述接地金丝，用于接地。
7.根据权利要求1所述的太赫兹奇次倍频器，其特征在于，所述低通滤波器为：7阶高低阻抗微带线。
8.根据权利要求1所述的太赫兹奇次倍频器，其特征在于，所述输入探针和所述输出探针均为E面探针。
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