[发明专利]一种SiC/PyC纳米线增强Al2

权利要求书

1.一种SiC/PyC纳米线增强Al₂O₃耐高温吸波陶瓷，由Al₂O₃多孔陶瓷基体、石墨烯界面及SiC/PyC纳米线构成，其特征在于Al₂O₃多孔陶瓷基体为开孔连续结构，体积密度为3.2~4.0g/cm³，平均孔径为5~20μm，孔隙率为90~95%；石墨烯界面通过真空化学气相沉积方法在Al₂O₃多孔陶瓷基体骨架表面制得，反应源气体为甲烷、氢气和氩气，气体流量比为40~60:80~120:750~850sccm，沉积时间为1~2h，石墨烯界面厚度为5~10nm；SiC/PyC纳米线通过化学气相渗透方法在Al₂O₃多孔陶瓷基体孔隙制得，反应源气体为三氯甲基硅烷、氢气和氩气，气体流量比为5~10:50~100:50~100sccm，沉积时间为4~8h，SiC纳米线在Al₂O₃多孔陶瓷基体孔隙内形成搭接结构，直径为20~50nm，PyC涂层在SiC纳米线表面均匀包覆，形成核壳结构，反应源气体为丙烯和氩气，气体流量比为50~100:150~250sccm，沉积时间为4~8h，PyC涂层厚度为5~10nm。

2.一种权利要求1所述的SiC/PyC纳米线增强Al₂O₃耐高温吸波陶瓷制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）首先对Al₂O₃多孔泡沫进行预处理，采用高纯酒精进行浸泡处理，时间为2~4h，然后采用清洗剂进行清洗，干燥后得到Al₂O₃多孔陶瓷基体；

（2）将Al₂O₃多孔陶瓷基体放入化学气相沉积炉并进行真空抽气处理，真空度为0.1~1Pa，然后通入甲烷、氢气和氩气，调节气体流量比并设置反应时间，随炉冷却得到表面沉积石墨烯界面的Al₂O₃多孔陶瓷基体；

（3）将（2）中的Al₂O₃多孔陶瓷基体置入硝酸镍溶液中，硝酸镍溶液浓度为0.1~1mol/L，浸泡时间为2~4h，然后将Al₂O₃多孔陶瓷基体置入马弗炉进行干燥处理，加热温度为60~80℃，加热时间为1~2h，随炉冷却得到表面负载镍原子的石墨烯/Al₂O₃多孔陶瓷基体；

（4）将（3）中的石墨烯/Al₂O₃多孔陶瓷基体置入化学气相沉积并进行抽气处理，真空度为1~10Pa，然后通入三氯甲基硅烷、氢气和氩气，调节气体流量比并设置反应时间，随炉冷却得到SiC纳米线增强的石墨烯/Al₂O₃多孔陶瓷基体；

（5）将（4）中的SiC纳米线增强的石墨烯/Al₂O₃多孔陶瓷基体置入化学气相沉积并进行抽气处理，真空度为1~10Pa，然后通入丙烯和氩气，调节气体流量比并设置反应时间，随炉冷却得到SiC/PyC纳米线增强Al₂O₃耐高温吸波陶瓷。