[发明专利]一种RCZ直拉法大热场的闷炉工艺

权利要求书

1.一种RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：

（1）当单晶炉运行时间超过460h，拉多晶时间不足或炉台有其它异常，导致无法继续运行且主加热器可以正常运行时开启闷炉工艺；

（2）将埚位放置到正常引放埚位，设置主加热器功率，确保硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小，并水冷屏升到上限位；

（3）在硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小的条件下，开始自动降坩埚位置，直至降到坩埚下限停止；

（4）当硅液上液面完全结晶后主加热器在1小时内缓慢降到0kw；

（5）当主加热器功率降到0kw后，按正常停炉工序冷却停炉即可。

2.根据权利要求1所述的RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，其特征在于：所述步骤（3）降坩埚时，以每小时50mm的速度下降。

3.根据权利要求1所述的RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，其特征在于：在闷炉工艺中需要向炉内通过氩气。

4.根据权利要求3所述的RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，其特征在于：通入所述氩气的流量控制为10-100L/min，直到炉内运行到保压步骤。

5.根据权利要求4所述的RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，其特征在于：所述炉台的炉压控制为3-30Torr之间，直到炉内运行到保压步骤。