[发明专利]一种基于视觉的单晶炉液位、单晶棒直径测量方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111586344.1 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN114232081A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 肖淑英;温培刚;陈小虎 申请(专利权)人: 航天智造(上海)科技有限责任公司
主分类号: C30B15/26 分类号: C30B15/26;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201601 上海市松*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 视觉 单晶炉液位 单晶棒 直径 测量方法 装置
【说明书】:

发明公开了一种基于视觉的单晶炉液位、单晶棒直径测量方法及装置,先手动进行液位标定和相机参数标定,在线生产时结合已有标定数据和图像测量出的液口距像素值、直径像素值,来换算实际的液位及单晶棒直径,并将它们做为输入发送给温度控制系统和液位控制系统。可以减少人工干预,实现单晶硅生长炉生产过程的自动化、智能化控制,提高单晶棒的等径生成质量,以提升半导体行业的生产效率。

技术领域:

本发明涉及信息处理领域,特别涉及一种基于视觉的单晶炉液位、单晶棒直径测量方法及装置。

背景技术:

在单晶硅生长炉市场上,单晶硅炉作业过程中的检测和反馈控制的自动化、智能化技术目前主要被美国Kayex公司、日本Ferrotec公司和德国CGS公司掌握。他们所生产的硅单晶炉自动化程度很高,生产出的单晶硅产品质量很好,直径超过300mm,而直径的偏差仅有±1mm,但其价格也相当昂贵。

太阳能级单晶硅主要用于制造太阳能电池。我国的太阳能级单晶硅炉装备制造技术已经能满足大批量生产需要,但还未实现生产过程的自动化、智能化检测与反馈控制,主要依靠人工操作。

单晶硅炉生产过程中,随着单晶向上提拉,坩埚的硅溶液质量不断减少,硅溶液的液位会随之下降,因此,如果要保证单晶棒的等径生长,需要坩埚按照一定的速率上升,以使硅溶液液位维持在固定高度。坩埚上升过快,会使晶体直径增大,反之,会使晶体直径减少。液位决定了晶体生长界面处的温度梯度,而要保证晶体的质量,就需要固定合适的温度梯度生长环境。所以要实现单晶硅生长炉自动化、智能化检测及反馈控制,其中很重要的一环就是测量单晶硅炉的液位及单晶棒的直径,而由于单晶炉内部高温环境,要想持续地实时检测,就必须实现无接触测量。

发明内容:

针对现有技术存在的不足,本发明实施例的目的在于提供一种基于视觉的单晶炉液位、单晶棒直径测量方法及装置,先手动进行液位标定和相机参数标定,在线生产时结合已有标定数据和图像测量出的液口距像素值、直径像素值,来换算实际的液位及单晶棒直径,并将它们做为输入发送给温度控制系统和液位控制系统。可以减少人工干预,实现单晶硅生长炉生产过程的自动化、智能化控制,提高单晶棒的等径生成质量,以提升半导体行业的生产效率。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种基于视觉的单晶炉液位、单晶棒直径测量方法,包括离线液位标定和在线视觉检测;

其中,离线液位标定的过程包括:设置测量液位的步长、最小值和最大值;将液位调整至最小值;采集图像,并测量当前图像中的液口距像素值;将当前液口矩像素值和液位作为键值对追加到标定文件尾部;判断液位是否到最大值,是则标定结束,否则液位增高一个步长,重新采集图像,继续标定;

在线视觉检测的过程包括:初始化加载离线标定的液位标定文件、相机内参、外参;采集图像,测量当前图像中的液口距像素值、单晶棒直径像素值;

根据标定文件、液口距像素值插值计算实际液位;根据相机参数、单晶棒直径像素值计算实际单晶棒直径;将计算到的实际值发送给下位机用于反馈控制。

作为本发明进一步的方案,根据标定文件和液口距像素值计算实际液位的过程包括:将已标定好的液口距、液位键值对存入查询字典gapMapgap,liquidLevel

获取查询字典的键列表keyList,将之按升序排序;

若液口距像素值为gapPixel,查找gapMap的键列表keyList中是否存在gap,是则其对应的值就是实际液位,realLiqLevel=gapMap[gapPixel];若不存在该键,则使用二分查找法来查找离该键最近的两个键值key1、key2;

按如下公式线性插值计算实际液位:

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