[发明专利]一种用于flash读保护改变的测试电路及方法

权利要求书

1.一种用于flash读保护改变的测试电路，其特征在于：包括芯片、上位机和程序下载器，芯片内包括flash模块和SRAM模块，所述芯片电源引脚连接相应电压电源，所述芯片GND引脚接地，所述芯片BOOT0和BOOT1接上拉电阻连接至电源，所述程序下载器一端连接芯片JTAG串口，程序下载器另一端连接上位机。

2.一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于，采用权利要求1中所述的用于flash读保护改变的测试电路，具体包括以下步骤：

（1）完成上述测试电路的硬件连接工作；

（2）将测试flash的程序通过下载器烧录到芯片的SRAM里，并从SRAM启动；

（3）判断flash寄存器FLASH_OBR是否为初始值，若是，则向flash中写入内容，并对flash寄存器FLASH_OBR写入标记值，重启程序，让标记值生效，若不是，则执行下一步骤；

（4）判断flash寄存器FLASH_OBR是否为写入的标记值，若是，修改 flash中读保护位的值，重启程序，让读保护状态改变生效，若不是，则执行下一步骤；

（5）判断flash读保护位的值是否为步骤（4）中修改的值，若是，则通过测试程序对步骤（3）中写入flash的内容进行检测，若不是，则说明flash的读保护无法开启，则无法对flash读保护状态改变进行测试；

（6）通过测试程序判断步骤（3）中写入flash的内容是否被擦除，若是，则验证了芯片flash读保护等级的改变会引起程序擦除，若不是，则说明芯片flash读保护等级的改变不会引起程序擦除。

3.根据权利要求2所述的一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于：所述重启程序通过调用芯片程序函数system reset执行。

4.根据权利要求2所述的一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于：所述步骤（3）中向flash中写入内容具体为向flash主体部分写入内容。

5.根据权利要求2所述的一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于：所述步骤（3）中对flash寄存器FLASH_OBR写入标记值，具体步骤为向flash寄存器FLASH_OBR中data部分写入数据，从而实现修改寄存器FLASH_OBR的值。