[发明专利]一种晶体管超声波焊接方法及焊接装置在审

专利信息
申请号: 202111571040.8 申请日: 2021-12-21
公开(公告)号: CN114178671A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 段忠福;陈政伟 申请(专利权)人: 上海骄成超声波技术股份有限公司
主分类号: B23K20/10 分类号: B23K20/10;B23K20/233;B23K20/26
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 杨杰
地址: 200240 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体管 超声波 焊接 方法 装置
【说明书】:

发明涉及超声波焊接技术领域,具体公开了一种晶体管超声波焊接方法及焊接装置。本方法用于将晶体管端子焊接于晶体管基板,包括以下步骤:将晶体管基板安装于承接盘,将晶体管端子置于晶体管基板上;使焊头件移动至晶体管基板上方,下移焊头件;等到焊头件受到的外部压力大于第一临界值后,开启超声波发生器,使超声波发生器发出超声波辅助焊接;等到焊头件受到的外部压力大于第二临界值后,焊头件停止移动;等到超声波发生器达到焊接目标后,关闭超声波发生器,上升焊头件,然后拆卸晶体管基板。通过上述步骤的优化,能够改进端子在基板上的焊接效果,降低了端子在焊接过程中打滑的风险,避免了基板的绝缘陶瓷层损伤的情况发生。

技术领域

本发明涉及超声波焊接技术领域,尤其涉及一种晶体管超声波焊接方法及焊接装置。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor,双极型三极管)和MOS(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其输入极为MOS,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40kHz)等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(Gate-Turn-OffThyristor,门极可关断晶闸管),是目前发展为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。

在IGBT生产过程中,传统生产工艺是利用锡焊把铜端子和铜基板焊接在一起;但是锡焊会带来不少问题,最主要的问题是锡焊增加了电流在IGBT中的电阻,增加能耗量,在使用过程中产热比较严重,减少IGBT的寿命;另外锡焊与铜端子和铜板基板之间属于不同材质,这样就导致焊接后的铜端子和铜基板之间是结合力小,很容易使铜端子与铜基板之间脱落,增加了IGBT的不稳定性。因此,就引进了超声波焊接装置来焊接IGBT中的铜端子与铜基板,超声波焊接之后的铜端子和铜基板之间,是铜分子的相互融合,没有发生化学变化,在导电过程中没有产品提供额外的阻值,因而保证了IGBT的导电性能。另外,超声波焊接还增加了铜端子与铜基板之间的拉力,提高了IGBT的机械稳定性。

但是在使用超声波焊接IGBT模块的时候,现有的晶体管超声波焊接方法焊接的IGBT模块常常会出现铜端子与铜基板焊接不完全的情况,这会导致IGBT模块产生推力不够以及铜端子相对于铜基板打滑的风险,导致焊头压碎铜基板的陶瓷绝缘层等问题的发生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶体管超声波焊接方法及焊接装置,以解决端子在基板上焊接不完全的问题。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

一种晶体管超声波焊接方法,用于将晶体管端子焊接于晶体管基板,包括以下步骤:

S10:将所述晶体管基板安装于承接盘,将所述晶体管端子置于所述晶体管基板上;

S20:使焊头件移动至所述晶体管端子上方,下移所述焊头件;

S30:判断所述焊头件是否受到大于第一临界值的外部压力,若否,则等待至所述焊头件受到的外部压力大于第一临界值后转到步骤S40,若是,则直接转到步骤S40;

S40:开启超声波发生器,使所述超声波发生器发出超声波辅助焊接;

S50:判断所述焊头件是否受到大于第二临界值的外部压力,若否,则等待至所述焊头件受到的外部压力大于第二临界值后转到步骤S60,若是,则直接转到步骤S60;

S60:所述焊头件停止移动;

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