[发明专利]OLED显示面板及显示装置有效
申请号: | 202111569163.8 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114256437B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 许传志;谢正芳;楼均辉 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H10K50/858 | 分类号: | H10K50/858;H10K59/30 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘丹;黄健 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板具有与感光器件正对应设置的透光显示区,所述透光显示区包括:
基底;
多个第二发光子像素,所述第二发光子像素用于显示时激发特定颜色的光;
透光膜层,设置在所述第二发光子像素的出光侧,用于将所述第二发光子像素的色光进行光线散射或者光线扩散,所述透光膜层由低折射率膜层和与所述低折射率膜层相邻的高折射率膜层组成;所述低折射率膜层的折射率低于所述高折射率膜层的折射率;沿所述第二发光子像素的出光方向,所述低折射率层位于所述高折射率层的上方,所述低折射率膜层的上表面及下表面均为平面;所述高折射率膜层的上表面及下表面均为平面;
沿所述OLED显示面板的出光方向,所述低折射率膜层的折射率先减小后增大。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述高折射率膜层具有与所述第二发光子像素对应的第一透光结构,所述第一透光结构在所述基底上的正投影覆盖相对应的所述第二发光子像素在所述基底上的正投影;
所述低折射率膜层具有与所述第一透光结构对应的第二透光结构,所述第二透光结构在所述基底上的正投影覆盖相对应的所述第一透光结构在所述基底上的正投影。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板包括覆盖所述透光显示区的各所述第二发光子像素的第一封装层以及覆盖所述第一封装层的第二封装层,所述第一封装层形成所述高折射率膜层,所述第二封装层形成所述低折射率膜层。
4.根据权利要求3所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板具有主屏区,所述第一封装层或所述第二封装层覆盖所述主屏区的各第一发光子像素。
5.根据权利要求3所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一封装层为氮氧化硅层,所述第二封装层为氟化锂层或氟化镁层;
或者,所述第一封装层和所述第二封装层的材质均为氮氧化硅,所述第二封装层中氮和氧的摩尔比小于所述第一封装层中氮和氧的摩尔比。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述低折射率膜层包括层叠设置的至少三层透光层;
同一层的所述透光层的折射率相等;
不同层的所述透光层沿所述OLED显示面板的出光方向折射率先减小后增大。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,所述低折射率膜层包括三层所述透光层,位于中间的所述透光层为氟化锂层或氟化镁层,位于两侧的所述透光层为氮氧化硅层;或者,
各所述透光层均为氮氧化硅层,不同层的所述透光层中氮和氧的摩尔比沿所述OLED显示面板的出光方向先减小后增大。
8.根据权利要求1至7任一项所述的OLED显示面板,其特征在于,与所述第二发光子像素对应的区域为发光区域,所述透光显示区中相邻所述第二发光子像素之间的区域为透光区域,
其中,所述发光区域的光透过率接近于0;所述透光区域的光透过率大于40%。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二发光子像素包括第二阳极、位于所述第二阳极上的第二发光层以及位于第二发光层上的第二阴极。
10.根据权利要求9所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二阳极为反射阳极。
11.根据权利要求9所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二阳极在所述基底上的正投影的轮廓形状为如下任一种形状:水滴形、圆形、矩形、椭圆形、菱形、半圆形或半椭圆形。
12.根据权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板具有主屏区,所述主屏区包括多个第一发光子像素,所述第一发光子像素包括第一阳极、位于所述第一阳极上的第一发光层以及位于第一发光层上的第一阴极。
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