[发明专利]发光器件及显示面板

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

相对设置的阳极和阴极；

发光层，所述发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，所述发光层的材料包括主体材料和掺杂材料；

其中，所述发光层中沿所述阳极朝向所述阴极的方向，所述主体材料的含量逐渐增大，所述掺杂材料的含量逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括层叠设置的多个发光单元层，沿所述阳极朝向所述阴极的方向，各所述发光单元层中的所述主体材料的含量逐渐增大，各所述发光单元层中的所述掺杂材料的含量逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，沿所述阳极朝向所述阴极的方向，各所述发光单元层中的所述主体材料的含量按照线性型或阶梯型逐渐增大；和/或

沿所述阳极朝向所述阴极的方向，各所述发光单元层中的所述掺杂材料的含量按照线性型或阶梯型逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括：

层叠设置的第一发光单元层和第二发光单元层，所述第一发光单元层靠近所述阳极设置，所述第二发光单元层靠近所述阴极设置，所述第一发光单元层包括所述主体材料和所述掺杂材料，所述第二发光单元层的材料为所述主体材料。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光单元层的厚度占所述发光层的总厚度的30％～85％；和/或

所述发光层的厚度为30nm～90nm。

6.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光单元层中的所述主体材料与所述第二发光单元层中的所述主体材料分别独立的包括TCTA、26DCZPPY、1,4-双(二苯基(4-乙烯基苯基)甲硅烷基)苯、CBP、mCBP中的一种或多种；和/或

所述第一发光单元层中的所述主体材料与所述第二发光单元层中的所述主体材料相同。

7.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光单元层中的所述掺杂材料包括Ir(ppy)₃、Ir(ppy)₂acac和(7,7-二甲基-苯并[5,6]芴基[2,3]噻吩-苯基)-蒽-(苯基-7,7-二甲基-苯并[5,6]芴基[2,3]噻吩-13硫酰基)中的一种或多种。

8.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光单元层中的主体材料包括TCTA、26DCZPPY和1,4-双(二苯基(4-乙烯基苯基)甲硅烷基)苯中的一种或多种；

所述第二发光单元层的材料为CBP和mCBP中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：

空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极与所述发光层之间，所述空穴注入层的材料包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸；

空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层与所述发光层之间所述空穴传输层的材料包括聚乙烯基咔唑，所述空穴传输层的厚度为70nm～140nm；

电子注入层，所述电子注入层设置在所述阴极与所述发光层之间，所述电子注入层的材料包括镱或氟化锂，所述电子注入层的厚度为0.5nm～1.5nm；

电子传输层，所述电子传输层设置在所述电子注入层与所述发光层之间，所述电子传输层的材料包括TPBi，所述电子传输层的厚度为15nm～40nm；

其中，所述阴极的材料包括镁和银中的至少一种，所述阴极的厚度为8nm～20nm。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的发光器件。