[发明专利]一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料，其特征在于：所述材料的化学式为ABX₃，A为咪唑类具有三重态能级的阳离子，B为二价金属离子Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺、Mn²⁺或Zn²⁺，X为卤素离子Cl^-或Br^-；A位阳离子的三重态能级位于无机骨架BX₃导带下方，无机骨架BX₃导带介于A位阳离子的单重态能级和三重态能级之间。

2.如权利要求1所述的一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料，其特征在于：所述A为

3.如权利要求1所述的一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料，其特征在于：所述B为Pb²⁺。

4.如权利要求1所述的一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料，其特征在于：所述X为Br^-。

5.如权利要求1所述的一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料，其特征在于：所述材料为(C₈H₉N₂)PbBr₃，其中(C₈H₉N₂)⁺为

6.一种如权利要求1～5任意一项所述的咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：

将A位有机分子与B位金属氧化物按1:2～2:1的摩尔比加入卤酸中，或将A位有机分子与B位金属卤化物按1:2～2:1的摩尔比加入卤酸中，采用降温结晶法或反溶剂法制备得到一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料；其中，所述卤酸为氢溴酸或盐酸；

或所述方法步骤如下：

将A位有机分子的溴盐或A位有机分子的氯盐与B位金属卤化物按照1:2～2:1的摩尔比溶解于DMF中，或将A位有机分子的氯盐与B位金属卤化物按照1:2～2:1的摩尔比溶解于DMF中，采用缓慢挥发法制备得到一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料。

7.如权利要求6所述的一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料的制备方法，其特征在于：所述A位有机分子为5-甲基苯并咪唑。

8.如权利要求6所述的一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料的制备方法，其特征在于：所述B位金属氧化物为PbO，B位金属卤化物为PbCl₂或PbBr₂。

9.如权利要求6所述的一种咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料的制备方法，其特征在于：所述卤酸为氢溴酸。

10.一种如权利要求1～5任意一项所述咪唑类阳离子一维边共享金属卤化物材料的应用，其特征在于：所述材料作为室温磷光发光材料使用。