[发明专利]一种高取向性、高电阻率条纹型磁薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，用于薄膜型电感器件，其特征在于：所述条纹型磁性薄膜包括基体上交替布置的n个Fe_xCo_yB_z条纹和n个电介质条纹，n为正整数，且n＞1；其中，所述基体为硅、氮化硅、氮化镓中的一种，x，y，z为原子比，5000≤x≤7000，2000≤x≤4000，2≤z≤8，所述电介质为选自固态电介质二氧化硅、氧化锌、氧化硼、氧化铝、氮化硅、氮化硼中的一种。

2.根据权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：6000≤x≤6500，3000≤x≤3500，3≤z≤5。

3.根据权利要求1或2所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：所述Fe_xCo_yB_z条纹的厚度为0.5-2μm，所述电介质条纹厚度为0.5-2μm。

4.根据权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：所述Fe_xCo_yB_z条纹的宽度为5-50μm，所述电介质条纹宽度为5-50μm。

5.根据权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：所述Fe_xCo_yB_z条纹的宽度总和与长度的比值为0.1-0.8。

6.根据权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：所述条纹型磁性薄膜中，Fe_xCo_yB_z所占体积百分比为10％～80％，优选为50％～80％。

7.根据权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：所述基体为厚度为0.4mm-0.8mm的单面抛光的硅片、单面抛光氮化硅片或氮化镓片。

8.根据权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：所述Fe_xCo_yB_z条纹和所述电介质条纹长度相同。

9.根据权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜，其特征在于：所述薄膜具有以下磁性能：各向异性场为400±50Oe，铁磁共振频率4.1～4.9f_r，电阻率为1～5μΩ·m。

10.一种如权利要求1所述的高取向性、高电阻率条纹型磁性薄膜的制备方法，其特征在于：

其中，基体为硅片，电介质为二氧化硅，该制备方法包括以下步骤：

a.用氧化炉在对基体硅片表面进行热氧处理，获得二氧化硅薄膜；

b.对热氧处理后的硅片进行清洁，去除其表面杂质；

c.用自动甩胶机在进行表面热氧处理后的硅片的表面旋涂光刻胶；

d.将旋涂光刻胶后的硅片放置于加热板上进行前烘；

e.将硅片放置到室温后放到条纹掩膜版下进行真空接触式曝光；

f.用显影液对涂覆光刻胶的硅片进行显影，显影后用超纯水清洗硅片，在硅片表面获得条纹型掩膜；

g.将硅片放置于加热板进行坚膜；

h.反应离子刻蚀热氧二氧化硅，获得条纹型二氧化硅薄膜；

i.用磁控溅射的方法沉积Fe_xCo_yB_z填充条纹型二氧化硅条纹之间的间隙；

j.将硅片置入盛有丙酮的容器中水浴加热，将硅片上残留的光刻胶及光刻胶上的Fe_xCo_yB_z去除，获得Fe_xCo_yB_z-SiO₂条纹薄膜。