[发明专利]CNF-MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.CNF-MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1，采用HCl/LiF对Ti₃AlC₂进行蚀刻分层制备得到MXene分散液；

步骤2，将AgNWs分散液与PVA粘结剂充分混合，得到混合分散液，再与MXene分散液进行充分混合，通过机械搅拌，得到均匀的MXene/AgNWs混合分散液；

AgNWs分散液的质量浓度为1mg/ml，MXene与AgNWs分散液的质量比分别为3-10：1-7，PVA粘结剂质量用量为MXene与AgNWs分散液的总质量的1％；

步骤3，将CNF超声分散在去离子水中，得到分散均匀的CNF分散液；

步骤4，采用真空抽滤的方法，将CNF分散液、MXene/AgNWs混合分散液过滤到混合纤维膜上，得到夹层结构的复合薄膜；具体步骤如下：

步骤4.1，将CNF分散液，进行真空抽滤，直到分散液过滤到混合纤维膜上，得到CNF层，向CNF层上加入MXene/AgNWs混合分散液，然后进行真空抽滤成膜，得到CNF、MXene/AgNWs双层膜；

CNF分散液与MXene/AgNWs混合分散液的质量比为1：2；

步骤4.2，向CNF、MXene/AgNWs双层膜上加入CNF分散液，抽滤成膜，得到CNF、MXene/AgNWs、CNF三层复合薄膜；

步骤5，将步骤4得到CNF、MXene/AgNWs、CNF三层复合薄膜在液氮下进行纵向冷冻，直到薄膜完全冷冻，将完全冷冻的复合薄膜进行真空干燥，得到CNF-MXene/银纳米线多孔复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的CNF-MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，具体为：将LiF和HCl混合反应30min后，将Ti₃AlC₂粉末缓慢加入LiF和HCl的均匀混合物中，在35℃的条件下搅拌24h，得到充分反应后的混合分散液；之后以3500rpm的离心速度用去离子水上述混合分散液进行洗涤，直至上层清液的pH达到6.0为止，在180W下超声处理20min，最后在3500rpm的速率下离心1h，得到MXene分散液。

3.根据权利要求1所述的CNF-MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，纵向冷冻的温度是-196℃～-210℃；真空干燥的温度是-50℃～-53℃，真空干燥的时间是48h-72h。