[发明专利]一种5G电源低压直流负载通断装置

权利要求书

1.一种5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，包括：

BUCK电路，用于抑制浪涌电流；

直流输入电压接口，连接所述BUCK电路的第一端和第二端，用于给BUCK电路供电；

负载，连接所述BUCK电路的第三端和第四端，用于吸收负载电流。

2.根据权利要求1所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

所述BUCK电路包括开关管、二极管和电感，所述二极管的正极连接所述开关管，所述二极管的负极连接所述电感。

3.根据权利要求2所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

所述开关管为三极管。

4.根据权利要求3所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

所述直流输入电压接口的正向输入端连接所述BUCK电路的所述二极管的负极和所述电感的第一端，所述二极管的正极连接所述三极管的集电极和所述负载的第一端，所述电感的第二端连接所述负载的第二端；所述三极管的发射极连接到所述直流输入电压接口的负向输入端，所述三极管的集电极连接到外部的驱动信号。

5.根据权利要求2所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

所述开关管为MOSFET晶体管。

6.根据权利要求5所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

所述直流输入电压接口的正向输入端连接所述BUCK电路的所述二极管的负极和所述电感的第一端，所述二极管的正极连接所述MOSFET晶体管的漏极和所述负载的第一端，所述电感的第二端连接所述负载的第二端；所述MOSFET晶体管的源极连接所述直流输入电压接口的负向输入端，所述MOSFET晶体管的栅极连接外部的驱动信号。

7.根据权利要求2-6任一项所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

开关管导通时，电流从直流输入电压接口的正向输入端流向电感，然后再通过负载模块后，通过开关管回到直流输入电压接口的负向输入端。

8.根据权利要求2-6任一项所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

开关管关断时，电感电流不突变，此时电流从电感的一端流出，经过负载模块，再通过二极管，回到电感的另一端。

9.根据权利要求2-6任一项所述的5G电源低压直流负载通断装置，其特征在于，

当电源需要导通时，外部提供驱动信号；当电源需要关断时，外部不提供驱动信号，所述低压直流负载通断装置不工作。