[发明专利]开放式温场

说明书

本说明书实施例提供一种温场装置，该温场装置放置于晶体生长炉内，且位于晶体生长炉内的感应线圈中；温场装置包括底板、第一盖板、第一筒、第二筒以及填充体；底板设置于温场装置底部，覆盖于第一筒一开口端；其中，第一盖板设置于温场装置顶部，覆盖于第一筒另一开口端；第二筒设置于第一筒内部；填充体填充于第二筒内部和第二筒和第一筒之间的空隙中；位于第二筒内部的填充体至少用于支撑埚并包覆埚的至少一部分。

分案说明

本申请是针对申请日为2019年08月21日、申请号为201980051051.8、发明名称为“开放式温场”的中国申请提出的分案申请。

技术领域

本申请涉及晶体生长领域，特别涉及一种用于晶体生长的温场装置和晶体生长方法。

背景技术

随着科学技术的高速发展，各领域对单晶晶体材料的质量要求越来越高。生产大直径晶体可以提高晶体产品的光学均匀性，也有利于提高生产效率。大尺寸高质量的单晶生长有依赖于设备长期运行的稳定性、生产用水用电供应的可靠性及适合大尺寸晶体生长的温场装置和生长工艺。目前主要的单晶材料的生长方法之一为上提拉法，在晶体上提拉法生长过程中，温场的优劣对单晶生长的质量有很大的影响。合适的温场能长出高质量的单晶，不好的温场容易使单晶变多晶或者无法引晶。有些温场虽然能长出单晶，但质量很差，有位错和其它结构缺陷。因此合适的温场是生长高质量晶体的前提。

发明内容

本申请实施例之一提供一种温场装置，包括底板、盖板、筒以及填充体。所述底板设置于所述温场装置底部，覆盖于所述筒一开口端。所述盖板设置于所述温场装置顶部，覆盖于所述筒另一开口端。所述填充体填充于所述筒内部。

本申请实施例之一提供一种温场装置，包括底板、第一盖板、第一筒、第二筒以及填充体。所述底板设置于所述温场装置底部，覆盖于所述第一筒一开口端。所述第一盖板设置于所述温场装置顶部，覆盖于所述第一筒另一开口端。所述第二筒设置于所述第一筒内部。所述填充体填充于所述第二筒内部，和/或所述第二筒和所述第一筒之间的空隙中。

在一些实施例中，位于所述第二筒内部的填充体至少用于支撑埚并包覆所述埚的至少一部分。

在一些实施例中，所述埚的上沿高出位于所述第二筒内部的填充体的填充高度。

在一些实施例中，所述填充体的填充高度导致其支撑的埚的上沿与位于所述温场装置外的感应线圈上沿的垂直间距为-0至“-”表示所述埚的上沿低于所述感应线圈上沿，“+”表示所述埚的上沿高于所述感应线圈上沿。

在一些实施例中，所述填充体为颗粒状，砖状，或毡状，由耐高温材料制成。

在一些实施例中，所述填充体为以下之中的一种或多种：锆砂、氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、氧化锆毡、氧化锆砖、和氧化铝砖。

在一些实施例中，所述填充体的粒度为5-200目；或者所述填充体的粒度为20-180目；或者所述填充体的粒度为50-150目；或者所述填充体的粒度为80-120目。

在一些实施例中，所述第一筒为石英管，或刚玉管，或由耐高温材料制成。

在一些实施例中，所述第一筒的厚度为1-15mm，高度为600-1600mm。

在一些实施例中，所述第一盖板包括至少两个第一通孔，所述第一通孔用于通过气体。

在一些实施例中，所述温场装置进一步包括第二盖板，所述第二盖板设置于所述第一筒内部，覆盖于所述第二筒靠近所述第一盖板的开口端；所述第二盖板上对应于第一盖板通孔的位置处开亦设有通孔。

在一些实施例中，所述第二盖板为氧化铝板或氧化锆板，或由耐高温材料制成。