[发明专利]超声流量计装置

权利要求书

1.一种超声流量计装置，其特征在于，包括：主控模块、超声流量转换模块、激励电压自适应模块、声道切换模块以及超声换能器；其中，

所述超声流量转换模块，与所述超声换能器和所述主控模块连接，用于在所述主控模块的控制下输出激励电压信号，以驱动所述超声换能器发出超声信号并基于超声回波信号计算流量；

所述激励电压自适应模块，与所述超声流量转换模块和所述主控模块连接，用于采集所述超声流量转换模块发出的激励电压信号并发送至所述主控模块，以使所述主控模块根据所述激励电压信号的电压值，输出控制信号；

所述激励电压自适应模块，与所述声道切换模块连接，还用于根据所述控制信号，调节输出第一电压，所述第一电压用于提供所述声道切换模块的工作电压，所述第一电压大于等于所述激励电压信号的电压值。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述激励电压自适应模块包括：激励电压采样模块、自适应电压输出模块以及升压电路模块；

所述激励电压采样模块，与所述超声流量转换模块和所述主控模块连接，用于采集所述超声流量转换模块发出的激励电压信号并发送至所述主控模块，以使所述主控模块输出对应的选择控制信号；

所述自适应电压输出模块，与所述主控模块和所述升压电路模块连接，用于根据所述选择控制信号，选择反馈电阻提供给所述升压电路模块；

所述升压电路模块，用于根据所述反馈电阻，输出所述第一电压。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述激励电压采样模块包括：第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的基极连接所述主控模块发出的采集控制信号；所述第一三极管的发射极接地；所述第一三极管的集电极连接所述第二三极管的基极；

所述第二三极管的发射极连接所述超声流量转换模块发出的激励电压信号；所述第二三极管的集电极连接所述主控模块。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述激励电压采样模块还包括：第一限流电阻、第二限流电阻、第一分压电阻、第二分压电阻、第一滤波电容；

所述第一限流电阻的第一端连接所述主控模块发出的采集控制信号；所述第一限流电阻的第二端连接所述第一三极管的基极；

所述第二限流电阻的第一端连接所述第一三极管的集电极；所述第二限流电阻的第二端连接所述第二三极管的基极；

所述第一分压电阻的第一端连接所述第二三极管的集电极；所述第一分压电阻的第二端连接所述第二分压电阻的第一端；所述第二分压电阻的第一端连接所述主控模块的电压检测端口；所述第二分压电阻的第二端接地；

所述第一滤波电容的第一端连接所述主控模块的电压检测端口，所述第一滤波电容的第二端接地。

5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述自适应电压输出模块包括：多通道模拟开关以及多个反馈电阻；

所述多通道模拟开关的公共管脚分别一一对应连接反馈电阻；所述多通道模拟开关的输出管脚均连接至所述升压电路模块的反馈端口；

所述多通道模拟开关的控制管脚连接所述主控模块发出的所述选择控制信号；所述多通道模拟开关，用于基于所述选择控制信号，选择连接对应的反馈电阻至输出管脚。

6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述升压电路模块包括：升压电源芯片、第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管；

所述第一NMOS晶体管的栅极连接所述主控模块的升压控制信号；所述第一NMOS晶体管的源极接地；所述第一NMOS晶体管的漏极连接所述第一PMOS晶体管的栅极；

所述第一PMOS晶体管的源极连接所述升压电路模块的供电电源；所述第一PMOS晶体管的漏极连接所述升压电源芯片的输入管脚；

所述升压电源芯片的反馈端口连接所述自适应电压输出模块的输出管脚，所述升压电源芯片的输出端口连接所述声道切换模块。