[发明专利]一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法有效
| 申请号: | 202111507138.7 | 申请日: | 2021-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN114315162B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
| 发明(设计)人: | 王大伟;颜廷楠;于淑会;孙蓉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号: | C03C14/00 | 分类号: | C03C14/00;C03B19/06;C03C3/118;C03B5/16;C04B35/14;C04B35/117;C04B35/582;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 范盈;李玉娜 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 无铅硼硅 玻璃 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法。其中,无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料包括40~60wt.%的作为基体的SiO2‑B2O3‑AlF3‑SrO玻璃和40~60wt.%的陶瓷。本发明通过将粒径合适的陶瓷粉与玻璃粉混合均匀、造粒、压片、烧结得到玻璃基陶瓷复合材料。本发明制备的玻璃基陶瓷复合材料具有优异的微波介电性能、高的抗弯强度、低的热膨胀系数、较高的导热系数以及与银电极良好的匹配性等特点,在低温共烧陶瓷(LTCC)封装领域具有应用前景。
技术领域
本发明涉及片式和集成无源元件技术领域,尤其涉及一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法。
背景技术
随着2nm制程硅基芯片研发成功,目前芯片的集成密度已经逼近极限,通过封装技术提升微电子组件集成度是未来的趋势。LTCC封装基板由多层印刷有电路的陶瓷层一体化低温(≤900℃)共烧形成,可以实现有源、无源元件三维立体封装,在高密度、高可靠性微电子封装领域具有广阔的应用前景。在实际应用中,LTCC封装基板需要具有优异的微波介电性能、高的机械强度、良好的导热性能、高的电阻率、较低的热膨胀系数并且与银电极兼容等特点,以保证封装基板在电子整机中具有高的品质和可靠性。陶瓷常常具有上述优异性能的一种或者几种,如熔融石英具有低的介电常数和热膨胀系数但是导热性能较差,AlN具有较高的导热系数但是介电常数偏高。玻璃/陶瓷复合材料是一种常见的LTCC基板材料,在实际应用中,可以通过改变陶瓷的类型和含量来调节基板性能。单一的陶瓷种类难以保证基板各方面性能无明显短板,使用几种陶瓷互补制备性能无明显短板的封装基板意义重大。
SiO2-B2O3-PbO玻璃基Al2O3陶瓷材料是一种常见的玻璃基陶瓷复合基板材料。现有的陶瓷促烧剂硼硅酸铅玻璃种含铅,铅对环境和人类健康十分不友好,玻璃无铅化十分有必要。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法,使用多种陶瓷互补的策略弥补单一陶瓷存在的短板,进而得到性能优异的的LTCC封装基板。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
本发明第一方面提供一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料,包括40~60wt.%的作为基体的SiO2-B2O3-AlF3-SrO玻璃和40~60wt.%的陶瓷。
作为优选地实施方式,所述SiO2-B2O3-AlF3-SrO玻璃由55wt.%的SiO2、17wt.%的B2O3、12wt.%的AlF3、15wt.%的SrO和1wt.%的K2CO3组成;
优选地,所述SiO2-B2O3-AlF3-SrO玻璃的玻璃软化点为650℃。
在某些具体的实施方式中,基于无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料的总质量:
作为基体的SiO2-B2O3-AlF3-SrO玻璃的质量分数为40wt.%、45wt.%、50wt.%、55wt.%、60wt.%或它们之间的任意质量分数;
所述陶瓷的质量分数为40wt.%、45wt.%、50wt.%、55wt.%、60wt.%、或它们之间的任意质量分数。
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