[发明专利]基于微弧离子镀的陶瓷介质滤波器表面镀层方法、陶瓷介质滤波器

权利要求书

1.一种基于微弧离子镀的陶瓷介质滤波器表面镀层方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将清洗后的待镀层滤波器置于微弧离子镀设备的真空腔室中的工作盘上，并启动工作盘；其中，所述真空腔室内设有Ni靶材、Cu靶材和Ag靶材；

S2、对真空腔室抽真空，再通入氩气至工作气压在第一气压区间，之后开启Ni靶材的靶电流，并对S1中的待镀层滤波器施加脉冲偏压，进行第一次等离子体清洗，得到第一工件；

S3、继续保持工作气压在第一气压区间，调整Ni靶材的靶电流，对第一工件施加脉冲偏压，在第一工件的表面沉积金属导电层，得到第二工件；

S4、继续保持工作气压在第一气压区间，同时开启Ag靶材的靶电流，并调整Ni靶材的靶电流，对第二工件施加脉冲偏压，进行第二次等离子体清洗，得到第三工件；

S5、继续保持工作气压在第一气压区间，关闭Ag靶材的靶电流和Ni靶材的靶电流后，只开启Cu靶材的靶电流，或者只开启Ni靶材的靶电流，或者同时开启Cu靶材的靶电流和Ni靶材的靶电流，并对第三工件施加脉冲偏压，在第三工件的表面沉积金属打底层，得到第四工件；

S6、继续保持工作气压在第一气压区间，开启Ag靶材的靶电流，并调整S5中开启的靶材的靶电流，对第四工件施加脉冲偏压，在第四工件的表面沉积过渡层，得到第五工件；

S7、调整工作气压至第二气压区间，并维持S6中靶材的靶电流和脉冲偏压，在第五工件的表面沉积银镀层后，再经过后处理得到具有表面镀层的陶瓷介质滤波器。

2.根据权利要求1所述的基于微弧离子镀的陶瓷介质滤波器表面镀层方法，其特征在于，对真空腔室抽真空至真空度小于等于6.0×10^-3Pa，所述第一气压区间为1.0×10^-1～2.0×10⁰Pa，第二气压区间为1.0×10^-1～9.5×10^-1Pa。

3.根据权利要求2所述的基于微弧离子镀的陶瓷介质滤波器表面镀层方法，其特征在于，所述步骤S2中，具体条件如下：开启Ni靶材的靶电流，3～10min内将Ni靶材的靶电流从2～8A降低至0.2～0.5A；随后，保持Ni靶材的靶电流，并对S1中的待镀层滤波器施加脉冲偏压后，对待镀层滤波器进行溅射清洗15～60min；其中，负偏压值为300～600V，脉冲宽度为0.2～5μs，脉冲频率为5～350KHz。

4.根据权利要求2所述的基于微弧离子镀的陶瓷介质滤波器表面镀层方法，其特征在于，所述步骤S3中，具体条件如下：将Ni靶材的靶电流调节至0.5～30A，同时，对第一工件施加脉冲偏压，其中，负偏压值为10～150V、脉冲宽度为0.2～5μs、脉冲频率为5～350KHz，之后，在第一工件的表面沉积金属导电层，沉积时间为1～30min。

5.根据权利要求2所述的基于微弧离子镀的陶瓷介质滤波器表面镀层方法，其特征在于，所述步骤S4中，具体条件如下：在Ag靶材上施加0.1～2A电流，调整Ni靶材上的靶电流至0.1～4A，同时，对第二工件施加脉冲偏压，其中，负偏压值为300～600V、脉冲宽度为0.2～5μs、且脉冲频率为5～350KHz的，之后对第二工件进行二次溅射清洗，溅射清洗时间为1～30min。

6.根据权利要求2所述的基于微弧离子镀的陶瓷介质滤波器表面镀层方法，其特征在于，所述步骤S5中，具体条件如下：关闭Ag靶材的靶电流和Ni靶材的靶电流后，只开启Cu靶材的靶电流，并将靶电流调节至0.5～30A，或者只开启Ni靶材的靶电流，并将靶电流调节至0.5～30A，或者同时开启Cu靶材的靶电流和Ni靶材的靶电流，并将Cu靶材和Ni靶材的靶电流皆调节至0.5～30A；并对第三工件施加脉冲偏压，其中，负偏压值调节至10～150V、脉冲宽度为0.2～5μs、脉冲频率为5～350KHz，之后，在第三工件的表面沉积金属打底层，沉积时间为1～20min。