[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 202111490963.0 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN115086583A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 李殷光 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/378 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙东喜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
一种图像感测装置包括:第一基板,其被配置为包括多个单元像素,所述多个单元像素被配置为检测入射光以生成承载入射光中的图像信息的像素信号;第二基板,其被设置为与第一基板相邻并且包括在第一基板处生成影响所述多个单元像素的第一磁场的结构;以及至少一个屏蔽装置,所述至少一个屏蔽装置设置在第一基板和第二基板之间,其中,所述屏蔽装置包括:感测电路,其被配置为检测与第一磁场对应的第一电压;以及抵消电路,其被配置为基于第一电压来生成抵抗第一磁场的第二磁场。
技术领域
本专利文献中公开的技术和实现方式总体上涉及一种包括被构造为屏蔽磁场的装置的图像感测装置。
背景技术
图像感测装置是通过使用对光做出反应的感光半导体材料将光转换为电信号来捕获光学图像的装置。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的发展,在诸如智能电话、数字相机、游戏机、IOT(物联网)、机器人、安全相机和医疗微型相机的各种装置中对高性能图像感测装置的需求不断增加。
图像感测装置可大致分为CCD(电荷耦合器件)图像感测装置和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像感测装置。与CMOS图像感测装置相比,CCD图像感测装置提供更好的图像质量,但是它们往往消耗更多的功率并且更大。与CCD图像感测装置相比,CMOS图像感测装置的尺寸更小并且消耗更少的功率。此外,使用CMOS制造技术来制造CMOS传感器,因此感光元件和其它信号处理电路可被集成到单个芯片中,从而允许以更低的成本生产小型化图像感测装置。出于这些原因,正在为包括移动装置的许多应用开发CMOS图像感测装置。
发明内容
所公开的技术的各种实施方式涉及一种图像感测装置,其被构造为抵消(offset)基板中生成的磁场,从而减少源自磁场的噪声。
根据所公开的技术的实施方式,一种图像感测装置可包括:第一基板,其被配置为包括多个单元像素,所述多个单元像素被配置为检测入射光以生成承载入射光中的图像信息的像素信号;第二基板,其被设置为与第一基板相邻并且包括在第一基板处生成影响所述多个单元像素的第一磁场的结构;以及设置在第一基板和第二基板之间的至少一个屏蔽装置,其中,所述屏蔽装置包括:感测电路,其被配置为检测与第一磁场对应的第一电压;以及抵消电路,其被配置为基于第一电压来生成抵抗第一磁场的第二磁场。
在一些实现方式中,感测电路可包括:电流发生器,其被配置为生成第一电流;以及电压检测器,其被配置为检测由第一电流和第一磁场生成的第一电压,其中,第一电压包括由垂直于第一电流的方向上提供的第一磁场生成的霍尔效应电压。
在一些实现方式中,在电流发生器中流动的第一电流的方向与在位于预定距离内的另一相邻电流发生器中流动的另一第一电流的方向平行但相反。
在一些实现方式中,抵消电路包括放大电路,该放大电路被配置为从感测电路接收第一电压,并且通过放大第一电压来生成第二电压。
在一些实现方式中,抵消电路包括被配置为包括导体板的磁场发生器,其中,当第二电压被提供给磁场发生器时,感生出第二磁场。
在一些实现方式中,图像感测装置还可包括屏蔽控制器,该屏蔽控制器被配置为在用于计算与第一电压对应的第二电压的测试模式操作期间向抵消电路提供测试电压,使得第二电压与抵抗第一磁场的第二磁场关联,其中,抵消电路包括磁场发生器,该磁场发生器被配置为包括用于使用提供给磁场发生器的测试电压来生成测试磁场的导体板。
在一些实现方式中,感测电路被配置为检测与在生成测试磁场之后形成的第三磁场对应的第三电压,并且屏蔽控制器被配置为在第三电压具有预定电压范围的情况下将测试电压设定为第二电压,并且将第一电压映射至第二电压以存储第一电压和第二电压之间的映射信息。
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