[发明专利]耐高温无硅转移制程保护胶带及其制备方法和应用

说明书

本发明提供一种耐高温无硅转移制程保护胶带及其制备方法和应用。该保护胶带由基材层、非硅系胶黏剂层和非硅系离型膜层依次叠加组成；基材层的厚度为0.012～0.025mm，非硅系胶黏剂层的厚度为0.02～0.03mm；非硅系离型膜的厚度为0.075mm。本发明的耐高温无硅转移制程保护胶带能够取代传统型有机硅胶带应用于焊接制程中，且同样具备耐高温及良好抗化学性能；但不同的是，本发明的保护胶带不含硅，无硅转移风险，能够确保零部件表面的洁净度，保证其灵敏性不被影响。将其应用于针对无硅转移的要求持续延伸至其它零部件的保护胶带中前景可观。

技术领域

本发明属于材料领域，涉及一种耐高温无硅转移制程保护胶带及其制备方法和应用。

背景技术

在电子行业中，焊接属于传统成熟工艺，主要目的是固定零部件的组装。因为涉及高温制程及多种化学液的浸泡，因此一般都是采用聚酰亚胺有机硅胶带作为制程保护胶带。然而不同于早期，现今的电子产品都已晋级为触控型智能手机或穿戴设备，因此对于各零部件的灵敏性要求及测试都越发严苛，而有机硅因具有不可避免的硅转移特性，已被硬性要求减少或禁止其在重要零部件如触控屏、摄像镜头、麦克风等的应用。

麦克风是电子产品里的一重要部件，外观小巧但精密度高，其制程工序复杂且质量要求严苛；焊接制程涉及喷涂助焊剂、经过270℃锡炉、锡液翻腾、风扇冷却、最后碳氢清洗，其过程约为5分钟。

因此，需要开发出一款能够针对麦克风进行局部表面保护的胶带材料，确保在选择性波焊过程中不受污染；并且制程结束后，表面保护胶带撕起后不可有残胶或硅转移现象，因残胶于孔洞会影响音效而硅转移会影响表面与后续其它材料的接着。

发明内容

基于现有技术存在的缺陷，本发明的第一目的在于提供一种耐高温无硅转移制程保护胶带；本发明的第二目的在于提供该耐高温无硅转移制程保护胶带的制备方法；本发明的第三目的在于提供该耐高温无硅转移制程保护胶带作为智慧手机或智慧手表的麦克风的保护胶带的应用。

本发明的目的通过以下技术方案得以实现：

一方面，本发明提供一种耐高温无硅转移制程保护胶带，所述保护胶带由基材层、非硅系胶黏剂层和非硅系离型膜层依次叠加组成；

所述基材层的厚度为0.012～0.025mm，所述非硅系胶黏剂层的厚度为0.02～0.03mm；所述非硅系离型膜的厚度为0.075mm。

本发明的保护胶带具备如下特点：

(1)非硅系胶黏剂，能够避免硅转移；(2)耐高温胶黏剂，能够确保在270℃短期内分子结构不松动以避免残胶；(3)粘着力设定精准。因麦克风尺寸小、贴合面积小、表面不平设有孔洞，粘着力应高，同时需考虑经过高温加热后粘着力会爬升，增加撕起后残胶、胶痕、胶印风险，粘着力不应过高；(4)耐助焊剂、锡液；(5)耐碳氢清洗剂。

本发明的保护胶带在设计时所遇到的挑战是胶黏剂需选择非硅系却必须具备有机硅的耐高温及抗化学性能。在焊接这样如此繁琐的制程，胶带的耐高温性能需达到270℃、2min，还要能耐助焊剂及碳氢溶剂的浸泡，粘着力的设定需精准已确保可紧密贴合被贴物表面避免溶剂浸入，最后于制程结束撕起时还不能有任何残胶或反应残留，通过下述原材料的选择设计能够实现。

上述的保护胶带中，优选地，所述非硅系离型膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯离型膜。

上述的保护胶带中，优选地，所述基材层选自聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜和/或聚酰亚胺薄膜；优选为聚酰亚胺薄膜。

上述的保护胶带中，优选地，所述非硅系胶黏剂层通过以下制备方法获得：

向胶黏剂中添加乙酸乙酯与甲苯的混合溶剂；稀释得到溶液A；

向锂盐金属架桥剂中加入异丙醇进行稀释，稀释后得到溶液B；