[发明专利]一种类光栅结构复合NTC热敏薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111483558.6 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114134457A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 孔雯雯;宋育贤;高博;李晓旻;王硕;常爱民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 种类 光栅 结构 复合 ntc 热敏 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种类光栅结构复合NTC热敏薄膜的制备方法，其特征在于，按下列步骤进行：
a、衬底清洗：依次分别采用丙酮、无水乙醇、去离子水和无水乙醇对衬底（1）进行超声清洗，每次清洗时间分别为各10-30min，清洗后用高纯干燥氮气对衬底（1）表面进行吹干处理，其中衬底为氧化硅、石英玻璃、氟金云母或氧化锆，其中氟金云母衬底（1）采用丙酮和无水乙醇对氟金云母衬底进行浸泡，时间各60分钟；
b、NTC热敏薄膜生长：根据类光栅结构设计参数为光栅间宽度为100nm-10mm，光栅高度为3mm-25mm，按常规方法制备掩模版（2），将掩模版（2）底部覆盖一级衬底（1）置于磁控溅射设备的衬底托盘内，采用直流磁控溅射进行第一种NTC热敏薄膜（3）的生长，生长功率10-50W，生长气压10-1-5Pa，衬底（1）生长温度50-500℃，生长时间10-60min，生长后对NTC热敏薄膜在管式炉中进行退火处理，退火温度500-900℃，退火时间30-60min，升降温为3-10℃/min，退火气氛为空气或氧气，其中掩膜版为不锈钢或聚四氟乙烯； NTC热敏薄膜为MnCoNiO系、LaMnO系或LaZrO系；
c、将步骤b中的薄膜表面覆盖二级掩膜版（4），再次置于磁控溅射设备的衬底托盘内，采用直流磁控溅射进行第二种NTC热敏薄膜（5）的生长，生长功率10-50W，生长气压10-1-5Pa、衬底（1）生长温度50-500℃，生长时间10-60min，生长后对NTC热敏薄膜在管式炉中进行退火处理，退火温度500-900℃，退火时间30-60min，升降温为3-10℃/min，退火气氛为空气或氧气，得到复合NTC热敏薄膜，其中掩膜版为不锈钢或聚四氟乙烯；NTC热敏薄膜为MnCoNiO系、LaMnO系或LaZrO系；
d、电极制备：将步骤c得到的复合NTC热敏薄膜表面覆盖电极掩膜版，重新置于直流溅射设备的托盘内按常规方法制备Cr/Au或Ni/Au电极，生长结束后，将NTC热敏薄膜置于烘箱进行退火，温度为125-250℃，时间为2-4 h，退火结束后即得到类光栅结构复合NTC热敏薄膜。
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