[发明专利]Mueller矩阵图像的获取系统及获取方法

权利要求书

1.Mueller矩阵图像的获取系统，其特征在于，包括依次设置形成光学系统的光源S、准直镜CL、起偏器P、样品V、超表面M、成像镜L、探测器D；

所述超表面M具体结构为：在单晶硅片上表面沉积金属膜，以单晶硅片中心为坐标原点，划分为四个象限，对每个象限的金属膜表面采用光刻工艺按照偏振吸收角度开设印刻单元，每个所述印刻单元内刻蚀金属纳米线和硅纳米线；

所述成像镜L包括四个凸透镜，每个所述凸透镜的光轴正对每个象限的中心。

2.根据权利要求1所述Mueller矩阵图像的获取系统，其特征在于，所述对每个象限的偏振吸收角度为：第一象限为与X轴平行，第二象限为与X轴垂直，第三象限为与X轴正方向呈45°夹角，第四象限为与X轴正方向呈-45°夹角。

3.根据权利要求1所述Mueller矩阵图像的获取系统，其特征在于，所述金属膜为铝膜，厚度为0.6μm。

4.根据权利要求1所述Mueller矩阵图像的获取系统，其特征在于，所述光源S发光频率为8-12um。

5.Mueller矩阵图像的获取方法，其特征在于，使用权利要求1所述Mueller矩阵图像的获取系统，具体按照以下步骤实施：

所述光源S发出的非偏振光依次经过准直镜CL、起偏器P产生线偏振光，线偏振光经过样品V后形成的透射光，透射光经过超表面M与成像镜L在探测器D上形成四副图像，通过四副图像上光照强度之间的加减运算得目标图像中每个像素对应的偏振态；

改变起偏器P的透光轴4次，并结合获取的四副图像的强度反演出目标表面每个像素对应的Mueller矩阵。