[发明专利]数模转换电路及电子设备在审
申请号: | 202111432664.1 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114024548A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 李赟;朱志鹏;黄琴 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03M1/06 | 分类号: | H03M1/06;H03M1/66 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 董琳 |
地址: | 201100 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数模 转换 电路 电子设备 | ||
1.一种数模转换电路,其特征在于,包括:
R-2R梯形网络模块,包括若干第一电阻、第二电阻和与所述第二电阻对应的控制开关,若干所述第一电阻之间串联连接,所述第二电阻的一端依次与对应的所述第一电阻的一端连接形成从低位到高位的结点;其中一所述控制开关的一端与一所述第二电阻的另一端连接、所述控制开关的另一端接地构成接地通路;其余所述控制开关的一端与其余所述第二电阻的另一端连接,构成从低位到高位的电阻臂,所述控制开关的另一端响应于输入的数字编码信号,用于控制所述电阻臂连接参考电压或地以实现数模转换;
阻抗调整模块,包括与所述第一电阻对应的阻抗元件,所述阻抗元件连接于相邻所述结点之间,所述阻抗元件的阻抗值与对应的所述控制开关的阻抗值相等。
2.根据权利要求1所述的数模转换电路,其特征在于,每个所述结点与所述接地通路之间的等效电阻为对应的所述第二电阻的阻值、所述阻抗元件的阻抗值和所述控制开关的阻抗值之和。
3.根据权利要求1或2所述的数模转换电路,其特征在于,所述阻抗元件的阻抗值与所述控制开关的数量正相关。
4.如权利要求3所述的数模转换电路,其特征在于,所述阻抗元件包括以下至少一种:
电阻器、电感器、传输门器件和开关器件。
5.如权利要求4所述的数模转换电路,其特征在于,所述控制开关为反相器或通路选择器。
6.根据权利要求5所述的数模转换电路,其特征在于,当所述控制开关为反相器时;
所述反相器包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管;所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极相连并作为反相器的输入端、漏极相连并作为反相器的输出端、所述第一PMOS晶体管的源极连接高电压、所述第一NMOS晶体管的源极连接低电压;所述反相器的导通阻抗与关闭阻抗相等。
7.根据权利要求5或6所述的数模转换电路,其特征在于,当所述阻抗元件为所述传输门器件时;
所述传输门器件包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管;
所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的源极相连并作为传输门的第一端、漏极相连并作为传输门的第二端、所述第二PMOS晶体管的栅极连接低电压、所述第二NMOS晶体管的源极连接高电压;
所述传输门的阻抗为所述第二PMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管并联后的阻抗。
8.根据权利要求7所述的数模转换电路,其特征在于,所述传输门的阻抗值与所述反相器的阻抗值相等。
9.根据权利要求8所述的数模转换电路,其特征在于,所述传输门的阻抗满足以下公式:
其中,RT为所述传输门的阻抗、up、un为载流子的迁移率、Cox为单位面积栅电容、W栅极长度、L栅极宽度、VDD为栅极电压、VTHP、VTHN为阈值电压、R为所述第一电阻的阻抗、Rs为所述反相器的阻抗、Vref为所述参考电压、∥代表并联关系。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-9中任意一项所述的数模转换电路。
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