[发明专利]薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器包括带有梯形凹槽的基体；所述基体上方布设有缓冲层；所述凹槽和缓冲层之间形成第一空腔；所述缓冲层上方设置有几字形压电层；所述压电层的几字形凸起下表面设有第一电极；所述第一电极与所述缓冲层之间形成第二空腔；所述几字形压电层的上表面设有第二电极；保护层覆盖于所述第二电极和外露的沉积压电层表面，其中，所述薄膜体声波谐振器通过如下过程获取：

步骤1、提供基体，并在所述基体上蚀刻出第一凹槽；

步骤2、将所述第一凹槽内填进行填充形成第一牺牲层，其中，所述第一牺牲层上表面与所述基体的上表面处于同一水平面；

步骤3、在所述基体和第一牺牲层上表面布设缓冲层；其中，缓冲层的材料为氮化铝或氧化铝；

步骤4、在缓冲层上表面铺设第二牺牲层；其中，所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料均采用二氧化硅或氮化硅；

步骤5、将用于制作第一电极的材料布设在所述牺牲层上方，并在所述牺牲层上方形成第一电极层；

步骤6、在所述第一电极层上表面进行图形化处理，并根据图形化处理后的图形对第一电极层和第二牺牲层一并进行蚀刻，获得第一电极和位于第一电极下方的蚀刻后第二牺牲层；

步骤7、在蚀刻后裸露出的缓冲层上设置与所述第一牺牲层相连的牺牲层延展部；

步骤8、在第一电极、蚀刻后裸露出的缓冲层上方以及所述缓冲层上设置的通孔内填充的牺牲材料的上方通过沉积方式形成沉积压电层；

步骤9、在所述沉积压电层上的几字形凸起的上表面形成第二电极，其中，所述第二电极、沉积压电层和第一电极的厚度相同；

步骤10、去除所述第一牺牲层、牺牲层延展部和第二牺牲层，形成第一空腔和第二空腔；并在第二电极和未被第二电极覆盖的所述沉积压电层上布设所述保护层。

2.根据权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲层上设有多个所述通孔，所述通孔与所述第一空腔相通，并且，所述通孔直径与所述第一空腔之间存在如下关系：

0.33h≤d≤0.45h

其中，d表示所述通孔的直径，h表示第一空腔最大深度点到缓冲层水平面的垂直距离。

3.根据权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一空腔的最大深度大于所述第二空腔的最大深度。

4.根据权利要求3所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一空腔最大深度与所述第二空腔最大深度之间满足如下关系：

0.55（H₁+H₀）H₁≤H₂≤0.68（H₁+H₀）

其中，H₁表示第一空腔最大深度；H₂表示第二空腔最大深度；H₀表示标准单位深度，H₀=0.1mm。

5.根据权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一空腔采用等腰梯形结构；所述第二空腔采用矩形结构，并且，所述等腰梯形结构的递交角度范围为36°—50°。