[发明专利]一种基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关有效
| 申请号: | 202111416210.5 | 申请日: | 2021-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN114284653B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
| 发明(设计)人: | 龚森;毕春阳;张雅鑫;杨梓强 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学长三角研究院(湖州);壹新通信科技(浙江)有限责任公司 |
| 主分类号: | H01P1/10 | 分类号: | H01P1/10;H01P1/16 |
| 代理公司: | 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 | 代理人: | 王蔚 |
| 地址: | 313001 浙江省湖州市吴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 人工 表面 离激元 耦合 调控 片上太 赫兹 开关 | ||
1.一种基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关,其特征在于:包括输入结构、SSPPs耦合调控结构、SSPPs共面传输结构、SSPPs模式转换结构和输出结构,所述输入结构和输出结构均包括中间信号线和两块对称分布在中间信号线两侧的接地金属片,接地金属片和中间信号线共同构成标准共面波导结构,所述SSPPs耦合调控结构包括深度渐变周期槽、中间信号线与相变材料薄膜,两组深度渐变周期槽对称分布在中间信号线的两侧且两组深度渐变周期槽的两端分别与所述输入结构和所述SSPPs共面传输结构连接,相变材料薄膜嵌入于所述SSPPs耦合调控结构对应的中间信号线中,所述SSPPs共面传输结构包括中间信号线和两组对称分布在中间信号线两侧的金属槽,所述SSPPs模式转换结构包括中间信号线和对称分布在中间信号线两侧的两组深度渐变周期槽,所述SSPPs模式转换结构中的两组深度渐变周期槽与所述SSPPs耦合调控结构中的两组深度渐变周期槽相对于所述SSPPs共面传输结构镜像对称,且所述SSPPs模式转换结构中的两组深度渐变周期槽的两端分别与所述SSPPs共面传输结构和所述输出结构连接,所述中间信号线贯穿于整个所述基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关,各结构中的中间信号线的线宽相同。
2.根据权利要求1所述的基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关,其特征在于:所述相变材料薄膜为VO2或其它能产生金属-介质转变的具有相变特性的材料。
3.根据权利要求1所述的基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关,其特征在于:所述SSPPs共面传输结构中的中间信号线也嵌入有相变材料薄膜。
4.根据权利要求1所述的基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关,其特征在于:所述对称分布金属槽不限于槽状结构,可利用具有相同拓扑特征的周期结构实现相似功能。
5.根据权利要求1所述的基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关,其特征在于:所述基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关的基底材料为石英蓝宝石或高阻硅。
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