[发明专利]像素电路及显示面板有效

专利信息
申请号: 202111403446.5 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN114038409B 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 王晗;陈涛 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨瑞
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 电路 显示 面板
【说明书】:

本申请公开了一种像素电路及显示面板,该像素电路通过第一晶体管的源极/漏极中的一个与驱动晶体管的栅极电性连接、防漏电单元的一传输端与第一晶体管的源极/漏极中的另一个电性连接,可以缩小第一晶体管的源极/漏极中的另一个与驱动晶体管的栅极之间的电位差,能够改善或者消除闪烁现象的发生。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种像素电路及显示面板。

背景技术

在显示领域,闪烁(Flicker)是面板显示的一个重要光学性能指标。Flicker重会导致人眼容易疲劳,因此,尽可能地降低Flicker是面板显示的一个重要研究方向。

如图1所示的像素电路,晶体管T1的栅极与晶体管T31的源极/漏极中的一个电性连接,晶体管T31的源极/漏极中的另一个与晶体管T32的源极/漏极中的一个、节点D电性连接,晶体管T32的源极/漏极中的另一个与晶体管T1的源极/漏极中的一个电性连接,晶体管T31的栅极、晶体管T32的栅极均接入信号SCAN(N)。

上述像素电路的工作过程包括如图2所示的三个工作阶段:

第一工作阶段T1:信号SCAN(N-1)为低电位,基于晶体管T41、晶体管T42构成的组合晶体管导通,复位晶体管T1的栅极即Q点的电位。

第二工作阶段T2:信号SCAN(N)由高电位跳变至低电位,基于晶体管T31与晶体管T32构成的组合晶体管、晶体管T7以及晶体管T2同时导通,数据信号DATA的电位写入至晶体管T1的栅极,同时复位发光器件LED1的阳极。

第三工作阶段T3:信号EM(N)为低电位,晶体管T5、晶体管T6同时导通,发光器件LED1发光。

其中,第二工作阶段T2切换至第三工作阶段T3的过程中,信号SCAN(N)由高电位跳变至低电位,由于耦合作用,节点D的电位被抬高;由于存储电容Cst的存在,Q点的电位的微小变化可以忽略不计,导致晶体管T31的漏源极之间的压差Vds增加,晶体管T31的漏电流也随之增大,如此一帧时间内晶体管T1的栅极电位升高,则流经发光器件LED1的发光电流下降,即发生闪烁现象。

需要注意的是,上述关于背景技术的介绍仅仅是为了便于清楚、完整地理解本申请的技术方案。因此,不能仅仅由于其出现在本申请的背景技术中,而认为上述所涉及到的技术方案为本领域所属技术人员所公知。

发明内容

本申请提供一种像素电路及显示面板,以缓解驱动晶体管的栅极电位不稳定导致显示闪烁的技术问题。

第一方面,本申请提供一种像素电路,其包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管以及防漏电单元,第一晶体管的源极/漏极中的一个与驱动晶体管的栅极电性连接;第二晶体管的源极/漏极中的一个与第一晶体管的源极/漏极中的另一个电性连接,第二晶体管的源极/漏极中的另一个与驱动晶体管的源极/漏极中的一个电性连接;防漏电单元的一传输端与第一晶体管的源极/漏极中的另一个、第二晶体管的源极/漏极中的一个电性连接。

在其中一些实施方式中,像素电路还包括第一控制布线,第一控制布线与防漏电单元的控制端电性连接,用于在像素电路的发光阶段中导通防漏电单元,以调节第一晶体管的源极/漏极中的另一个的电位。

在其中一些实施方式中,像素电路还包括第一初始化线,第一初始化线与防漏电单元的另一传输端电性连接,用于传输第一初始化信号,以在防漏电单元导通时调节第一晶体管的源极/漏极中的另一个的电位至第一初始化信号的电位。

在其中一些实施方式中,像素电路还包括第二初始化线,第二初始化线与防漏电单元的另一传输端电性连接,用于传输第二初始化信号,以在防漏电单元导通时调节第一晶体管的源极/漏极中的另一个的电位至第二初始化信号的电位;其中,在发光阶段中,第二初始化信号的电位等于或者接近驱动晶体管的栅极电位。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111403446.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top