[发明专利]一种PTC陶瓷气体加热元件及其制备方法在审
申请号: | 202111393455.0 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN116156686A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 欧阳琪;马名生;陆毅青;刘志甫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H05B3/14 | 分类号: | H05B3/14;H05B3/03;C04B35/468;C04B35/622;C04B38/06 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ptc 陶瓷 气体 加热 元件 及其 制备 方法 | ||
1.一种PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,包括:具有微孔结构的PTC陶瓷片或具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片作为基体,以及涂覆在基体表面的单面金属电极或双面的金属电极;优选地,所述基体的组成选自钛酸钡基的PTC陶瓷或氧化钒基的PTC陶瓷。
2.根据权利要求1所述的PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,所述具有微孔结构的PTC陶瓷片的开口气孔率为5%~45%,微孔孔径为200nm~200μm;
所述具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片的微孔分布类型为类三明治结构或渐进式结构;所述类三明治结构包含中间层以及分布在中间层两侧的至少1层的侧边层,且中间层的开口气孔率<侧边层的开口气孔率。
3.根据权利要求2所述的PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,当具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片为渐进式结构时,开口气孔率按照35%~45%至5%~15%方式沿进气方向递减排布或者按照5%~15%至35%~45%方式沿进气方向递增排布;微孔孔径为200nm~200μm。
4.根据权利要求2所述的PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,当具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片为类三明治结构时,具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片的结构包括:A/B/A、A/B/C/B/A、或A/B/C/D/C/B/A等。
5.根据权利要求2所述的PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,当具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片为类三明治结构时,中间层的开口气孔率为5%~20%;最边缘的侧边层的开口孔隙率为35%~45%;微孔孔径为200nm~200μm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,当具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片为类三明治结构时,具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片的中间层厚度为0.3~3mm,每个侧边层的厚度为0.3~1mm;
或者,当具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片为渐进式结构时,具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片各层厚度为0.3~3mm;
所述具有微孔结构的PTC陶瓷片的总厚度为1~6mm。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,所述单面金属电极或双面的金属电极的材质包括金、银、铜、镍、钨、钼、铂及其合金;所述单面金属电极为单面叉指电极。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的PTC陶瓷气体加热元件,其特征在于,所述具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片的渗透率在10-16~10-11m2;所述具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片的的居里温度为50~300℃。
9.一种如权利要求1-8中任一项所述的PTC陶瓷气体加热元件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在PTC陶瓷原料粉体中分别添加不同含量和不同粒径尺寸的造孔剂,通过干压或流延成型方法,得到含有不同造孔剂的生瓷素坯;
(2)将所得含有不同造孔剂的生瓷素坯按照具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片的结构设计再次进行叠压成型,得到梯度孔隙结构的PTC陶瓷素坯;
(3)将所得含有不同造孔剂的生瓷素坯或梯度孔隙结构的PTC陶瓷素坯进行烧结,得到具有微孔结构的PTC陶瓷片或具有梯度微孔结构的PTC陶瓷片;
(4)将具有梯度孔隙结构的PTC陶瓷片双面镜面抛光,然后在陶瓷片的单面或双面制作金属电极,得到PTC陶瓷气体加热元件。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述造孔剂选自石墨粉、淀粉、PMMA中的至少一种;所述造孔剂的粒径为200nm~200μm;所述造孔剂的加入量为造孔剂与PTC陶瓷原料粉体总质量的5wt%~30wt%;
步骤(3)中,所述烧结的温度为1300℃~1360℃,时间为0.5~3小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111393455.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。