[发明专利]线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂

说明书

本发明涉及树脂材料技术领域，具体涉及一种线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂。所述树脂结构如下式(I)所示：本发明所述线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂除具有低介电、低损耗外，其具有更好的热稳定性、低热膨胀性能。

技术领域

本发明涉及树脂材料技术领域，具体涉及一种线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂。

背景技术

随着半导体工业的快速发展，高性能低介电、低损耗材料的研制和开发得到高度重视。由于高频高速的发展需求，超大规模集成电路尺寸逐渐缩小以及芯片内部的链接线路越来越密集，导致了信号的传输延迟和交叉干扰，对高性能低介电低损耗材料的需求也日益迫切。为了解决这些问题，要求材料必须满足低介电、低损耗、高机械强度、高热稳定性、低热膨胀等综合性能。

申请人先前申报专利申请CN113480735A(公开日2021年10月08日)公开了一种苯并环丁烯基官能化的有机硅树脂，其化学结构式如下所示：

以上所述树脂具有低介电、低损耗、高热稳定性、低热膨胀等优良性能。但是其仍存在一些不足，如所用前驱体DMBMOS采用格氏方法合成，BCB溴化镁活性高与二甲基二甲氧基硅烷反应，可能会生成双BCB副产物，且此副产物与DMBMOS沸点相差不大，难于把DMBMOS提纯，导致后面的水解聚合物比例与性能差异；该树脂的热稳定性、低热膨胀性能仍有待进一步提高。

发明内容

本发明主要目的在于提供一种线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂，该树脂具有更好的热稳定性、低热膨胀性能。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂，其结构如下式(I)所示：

其中，x为≥1的整数，y为大于等于0的整数；R为以下任一项：

(a)取代或未取代的碳原子数为1-6的烷基、取代或未取代的碳原子数为2-6的烯基，其中所述的取代是指基团上的一个或多个氢原子被选自下组的取代基取代：碳原子数为1-4的的烷基、碳原子数为2-4的烯基、碳原子数为2-4的炔基、未取代的或苯环上的1～3个氢原子被碳原子数为1-4的烷基取代的苯基；

(b)取代或未取代的苯基；所述的取代指基团上的一个或多个氢原子被选自下组的取代基取代：碳原子数为1-4的的烷基、碳原子数为2-4的烯基、碳原子数为2-4的炔基、未取代的苯基。

进一步地，所述树脂由二苯并环丁烯基二甲氧基硅烷(DBDMOS)或二甲氧基乙烯基有机硅烷通过酸或碱催化作用下的水解缩合后与二甲基苯并环丁烯乙烯基甲氧基硅烷(DMBVMOS)封端得到。

进一步地，所述二甲基苯并环丁烯乙烯基甲氧基硅烷的制备方法为：在干燥条件下，二甲基乙烯基甲氧基硅烷与4-溴苯并环丁烯通过在惰性气体中，于溶剂中经HECK反应制备得到。

本发明还提供以上所述线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂在制备高热稳定性、低热膨胀性能、低介电材料中的应用。

与现有技术相比，本发明具有以下优势：

1)本发明所述线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂除具有低介电、低损耗外，其具有更好的热稳定性、低热膨胀性能；可用于制备高热稳定性、低热膨胀性能、低介电材料。

2)本发明所述线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂采用DMBVMOS封端得到；DMBVMOS采用HECK反应合成，产率高且易提纯，便于线型苯并环丁烯基聚硅氧烷树脂的大量合成。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。