[发明专利]一种β-氧化镓结构近红外宽光谱荧光粉及其制备方法

权利要求书

1.一种β-Ga₂O₃结构近红外宽光谱荧光粉，其特征在于，所述荧光粉的化学式表示为：Ga_2-2a-bM¹_aM²_aCr_bO₃，其中M¹元素选自Mg或Zn，M²元素选自Si、Ge、Zr或Hf；0.0001≤a≤0.5；0.0001≤b≤0.1。

2.根据权利要求1所述的β-Ga₂O₃结构近红外宽光谱荧光粉，其特征在于，所述M¹为Mg。

3.根据权利要求1～2任一所述的β-Ga₂O₃结构近红外宽光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将M¹化合物、M²化合物、Ga化合物和Cr化合物混合后研磨，混合均匀，得混合物；

(2)将步骤(1)中得到的混合物在空气中在1300～1450℃下焙烧，待焙烧后的产物冷却后进行破碎、研磨处理，即得β-Ga₂O₃结构近红外宽光谱荧光粉。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中M¹化合物为氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁、草酸镁、硝酸镁、氧化锌、草酸锌或硝酸锌；所述M²化合物为二氧化硅、氧化锗、氧化锆、硝酸锆、氧化铪或硝酸铪。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中Ga化合物为氧化镓或硝酸镓。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中Cr化合物为氧化铬或硝酸铬。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中焙烧时间为4～48h。