[发明专利]一种磁传感器和电子设备在审
申请号: | 202111360274.8 | 申请日: | 2021-11-17 |
公开(公告)号: | CN114252814A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 易立琼;杨泽洲;胡笑鲁;陈少娴 | 申请(专利权)人: | 华为数字能源技术有限公司 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感器 电子设备 | ||
1.一种磁传感器,其特征在于,包括:
印刷电路板(310),包括目标走线(311),用于让各个元器件之间电连接;
隧穿磁阻元件(320),固定在所述印刷电路板的外表面上,用于检测所述目标走线的电流值;
其中,所述隧穿磁阻元件位于所述目标走线的一侧侧面上的法线上,且所述隧穿磁阻元件中的检测单元距离与所述目标走线的距所述隧穿磁阻元件最近一侧边缘之间的距离D,与所述目标走线的宽度W之比为3.0%至20.0%之间,所述检测单元用于检测磁感应强度,所述目标走线的宽度为垂直于所述目标走线上电流流通方向上的长度。
2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述隧穿磁阻元件中的检测单元与所述目标走线的距所述隧穿磁阻元件最近一侧边缘之间的距离D满足:
D=0.1584W-0.1209
其中,D和W的单位为mm。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器,其特征在于,所述隧穿磁阻元件的宽度小于所述目标走线的宽度;其中,所述隧穿磁阻元件的宽度为垂直于所述目标走线上电流流通方向上的长度。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的磁传感器,其特征在于,所述隧穿磁阻元件的宽度w满足:
w<W-2D
其中,D和W的单位为mm。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的磁传感器,其特征在于,所述隧穿磁阻元件在所述目标走线的一侧侧面上的法线方向,与所述目标走线之间的距离大于零。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的磁传感器,其特征在于,所述目标走线是由石墨材料制作而成。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的磁传感器,其特征在于,还包括:
屏蔽组件(320),设置在所述隧穿磁阻元件的背离所述印刷电路板一侧的表面上,用于屏蔽除所述目标走线以外的其它走线和元器件产生的磁场。
8.根据权利要求7所述的磁传感器,其特征在于,所述屏蔽组件为梳状结构。
9.根据权利要求7或8所述的磁传感器,其特征在于,所述屏蔽组件的尺寸大于所述隧穿磁阻元件的尺寸。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:至少一个如权利要求1-9所述的磁传感器。
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