[发明专利]一种VCSEL结构在审
| 申请号： | 202111357672.4 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114204415A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 方照诒 | 申请（专利权）人： | 深圳市德明利光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 | 代理人： | 何兵 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 结构 | ||
1.一种VCSEL结构，其特征在于，包括衬底、电极接触层、下DBR、有源区、上DBR，其中，所述上DBR内的光学路径上的堆叠结构由中Al含量的低折射率材质Al2O3由AlxGa1-xAs经氧化工艺形成Al2O3/AlyGa1-yAs组成，谐振腔光学路径外侧的导通路径由欧姆金属取代Al2O3形成低电阻路径及光局限，所述堆叠结构与所述欧姆金属组成的组合层的上下两侧由AlxGa1-xAs组成并形成DBR结构中高折射率的部分，所述有源区的上方设有电流孔径，所述电流孔径由AlzGa1-zAs组成并形成DBR结构中高折射率的部分，其中，x＞z＞y。
2.根据权利要求1所述的一种VCSEL结构，其特征在于，所述电流孔径的两侧由AlzGa1-zAs氧化后所形成的Al2O3组成。
3.根据权利要求1所述的一种VCSEL结构，其特征在于，所述AlzGa1-zAs为一层或多层，多层的所述AlzGa1-zAs之间以AlyGa1-yAs作为间隔层。
4.根据权利要求1所述的一种VCSEL结构，其特征在于，所述电流孔径的直径小于任意一层的所述堆叠结构的直径。
5.根据权利要求1所述的一种VCSEL结构，其特征在于，所述有源区从上至下依次包括上限制层、MQW和下限制层。
6.根据权利要求1所述的一种VCSEL结构，其特征在于，所述上DBR上设有上电极，所述上电极设置在所述堆叠结构外。
7.根据权利要求1所述的一种VCSEL结构，其特征在于，所述电极接触层上设置有下电极。
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