[发明专利]制造喷嘴的方法

权利要求书

1.一种制造喷嘴的方法，该方法包括：

在基板的顶层中形成具有第一宽度的第一开口，其中所述基板包括所述顶层和与顶层不同的材料的下面的第二层；

在基板的顶表面上形成图案化的层，使得所述图案化的层位于基板顶层的顶部上，所述图案化的层包括跨越顶层中的第一开口的第二开口，所述第二开口具有大于所述第一宽度的第二宽度；

使所述图案化的层回流，以形成终止于基板顶表面的弯曲侧表面，其中，回流所述图案化的层包括通过加热软化所述图案化的层，直到所述第二开口的顶部边缘在表面张力的影响下变圆，并且在通过加热软化之后，在所述第二开口的顶部边缘保持圆形的同时重新硬化所述图案化的层；

通过基板顶层中的第一开口蚀刻基板的第二层以在第二层中形成直壁凹部，其中顶层中的第一开口的外边缘限定了所述直壁凹部的边界，所述直壁凹部具有所述第一宽度、底表面和基本垂直于基板的顶表面的侧表面；以及

在形成所述直壁凹部之后，蚀刻图案化的层的弯曲侧表面、基板的顶层和基板的第二层，同时直壁凹部的内表面暴露于蚀刻，其中，所述蚀刻将直壁凹部转变成漏斗形凹部，所述漏斗形凹部包括弯曲侧壁，所述弯曲侧壁逐渐平滑地连接凹部的直壁下部或终止于所述底表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二开口比所述第一开口大约1μm。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用步进器精确地对准在具有第一开口的基板的顶表面上的图案化的层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过用薄的未回流的抗蚀剂蚀刻来形成所述第一开口。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述基板是半导体基板，所述第二层是对于Bosch蚀刻过程具有高选择性的氧化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积在所述基板的顶表面上的图案化的层的厚度至少为10微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过加热软化所述图案化的层还包括：

在真空环境中加热其中形成有第二开口的图案化的层，直到图案化的层中的材料在表面张力的影响下回流。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，加热所述图案化的层包括将图案化的层加热至160-250摄氏度的温度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，重新硬化所述图案化的层包括冷却图案化的层，同时所述第二开口的顶部边缘保持圆形。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述弯曲侧壁的顶部开口的宽度是所述弯曲侧壁的底部开口的至少四倍。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述基板的顶表面以形成所述直壁凹部包括使用Bosch过程，通过图案化的层中的开口蚀刻基板的顶表面。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述漏斗形凹部的蚀刻对于图案化的层和基板具有基本相同的蚀刻速率。