[发明专利]一种直立石墨烯电化学电极检测芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种直立石墨烯电化学电极检测芯片，其特征在于，包括：基材和生长于所述基材上的直立石墨烯层，所述基材上预制有一套或多套凹槽，所述直立石墨烯层生长填充于所述凹槽内，形成有一个或多个电化学检测电极结构；所述直立石墨烯层的高度小于或等于所述凹槽的深度，多套凹槽具有相同或不同的形状。

2.根据权利要求1所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片，其特征在于，每一套所述凹槽的形状为根据电化学测试电极设计需求设计而成。

3.根据权利要求2所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片，其特征在于，所述直立石墨烯层的高度为1-50μm。

4.根据权利要求1所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片，其特征在于，所述基材为绝缘薄膜，所述基材为PET、PE、PC、薄玻璃片、晶圆硅片、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷中的一种或多种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片，其特征在于，所述基材上设有过孔，所述过孔内填充有导电物质；所述基材背面设有若干引脚和电路，所述直立石墨烯层通过所述过孔内的导电物质和所述电路与所述引脚电连接。

6.根据权利要求5所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片，其特征在于，所述导电物质为金属或导电碳材料。

7.一种权利要求1-6任一项所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基材，并在所述基材上预制一套或多套凹槽；

在所述基材上生长直立石墨烯材料；

对生长完直立石墨烯材料的基材进行处理，去掉基材上凹槽以外生长的石墨烯材料，使所述凹槽内生长的直立石墨烯层的上表面不高于所述基材的上表面。

8.根据权利要求7所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片的制作方法，其特征在于，所述凹槽的形成方法包括：机械雕刻、激光蚀刻、辐射轰击或化学反应中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片的制作方法，其特征在于，所述直立石墨烯层的生长方法为化学气相沉积。

10.根据权利要求7所述的直立石墨烯电化学电极检测芯片的制作方法，其特征在于，对生长完成的直立石墨烯层进行处理的方法包括：激光雕刻、光刻、机械加工、化学刻蚀中的一种或多种。