[发明专利]一种基于PVD-In2

权利要求书

1.一种基于PVD-In₂Se₃可饱和吸收体的双端泵浦锁模光纤激光器，其特征在于：包括泵浦激光器一(1)、泵浦激光器二(2)和光纤谐振腔，且光纤谐振腔由波分复用器一(3)、波分复用器二(4)、掺铒光纤(5)、偏振控制器一(6)、110m单模光纤(7)、可饱和吸收体(8)、偏振无关隔离器(9)、偏振控制器二(10)和输出耦合器(11)依次首尾连接构成。

2.根据权利要求1所述的一种基于PVD-In₂Se₃可饱和吸收体的双端泵浦锁模光纤激光器，其特征在于：所述泵浦激光器(1)(2)为半导体激光器，且泵浦激光器一(1)、泵浦激光器二(2)的中心波长为976nm，对应于掺铒光纤泵浦吸收峰。

3.根据权利要求1所述的一种基于PVD-In₂Se₃可饱和吸收体的双端泵浦锁模光纤激光器，其特征在于：所述波分复用器一(3)、波分复用器二(4)的工作波长是980/1550nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于PVD-In₂Se₃可饱和吸收体的双端泵浦锁模光纤激光器，其特征在于：所述掺铒光纤(3)型号为Er-80、长度为0.62m。

5.根据权利要求1所述的一种基于PVD-In₂Se₃可饱和吸收体的双端泵浦锁模光纤激光器，其特征在于：所述输出耦合器(11)的耦合比为40:60，40％端口为输出端口。

6.一种制备如权利要求1所述的一种基于PVD-In₂Se₃可饱和吸收体的双端泵浦锁模光纤激光器中可饱和吸收体的方法，其特征在于：具体的步骤为：

步骤1：将纯度为99.99％的In₂Se₃粉末作为蒸发源放置在750℃的水平管式炉的恒温区，持续60分钟，蒸汽通过50sccm的氩气向下游输送，压力控制在15Pa；

步骤2：In₂Se₃薄片生长在距离加热中心12cm处的FM基板上，加热完成后，炉子在氩气流中自然冷却到环境温度。

步骤3：通过热解胶带将基于单层FM基板的In₂Se₃薄片剥离成数层，再将数层In₂Se₃-FM直接附着在光纤端面上，制备具有高激光损伤阈值的可饱和吸收体。