[发明专利]电压检测电路和设备在审
申请号: | 202111326890.1 | 申请日: | 2021-11-10 |
公开(公告)号: | CN114002490A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 王伟 | 申请(专利权)人: | 上海先之路微电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165 |
代理公司: | 上海熠涧知识产权代理有限公司 31442 | 代理人: | 林高锋 |
地址: | 201609 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 检测 电路 设备 | ||
本申请公开一种电压检测电路和一种设备,电压检测电路包括:第一检测端和第二检测端,分别用于连接至待测电压的正端和负端;比较单元,具有第一输入端和第二输入端,所述第一输入端与第一检测端之间串联一降压单元,所述第二输入端直接连接至第二检测端;电流源单元,用于产生两路大小相同的第一电流源和第二电流源,所述第一电流源的输入端连接至所述比较单元的第一输入端,所述第二电流源的输入端连接至所述比较单元的第二输入端。上述电压检测电路能够提高高压电源低压检测的准确性。
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域,具体涉及一种电压检测电路和设备。
背景技术
随着新能源技术的迅速发展,在工业、储能,甚至高功率消费类电子领域应用的普及,越来越多的中高压、中高功率应用开始涌现。比如,高功率移动电源、电动自行车、中小型储能系统,以及高压充电器等等。对应用中的中高压电源电压的检测和保护的需求,也日益凸显。由于高压电源电压远高于通常的5V电压域,能够达到几十甚至上百伏特的级别,该类电路都是利用高压BCD工艺来,集合了Bipolar、CMOS和DMOS的单片IC制造工艺实现,设计难度大,成本高,对可靠性也是一个挑战。
目前主要有两类高压电源电压检测方法。
一类是采用电平转移的技术,通过隔离运算放大器电路将待检测的电源电压,按一定比例转移成对系统地(ground)的低电压信号,再进行处理;其中隔离运算放大器电路工作在高压电源的正负极两端,对于多电源级联的应用,该运算放大器电路需要对系统地进行隔离虚地处理,对工艺耐压以及电路设计提出了更高的要求。同时,该方法电路复杂度高,功耗和成本高。
另一类方法,则是通过检测电源电压正负极之间的相对电压差,来判断电源电压是否达到阈值电压。该方法的缺陷是单边传递电压,相对精度较差,易受系统应用拓扑的影响。
因此,现有技术的电压检测电路的高压电源电压检测精度有待进一步提高。
发明内容
鉴于此,本申请提供一种电压检测电路和一种设备,以提高电源电压检测的准确性。
所述电压检测电路包括:第一检测端和第二检测端,分别用于连接至待测电压的正端和负端;比较单元,具有第一输入端和第二输入端,所述第一输入端与第一检测端之间串联一降压单元,所述第二输入端直接连接至第二检测端;电流源单元,用于产生两路大小相同的第一电流源和第二电流源,所述第一电流源的输入端连接至所述比较单元的第一输入端,所述第二电流源的输入端连接至所述比较单元的第二输入端。
可选的,所述电流源单元用于基于同一基准电压产生所述第一电流源和所述第二电流源。
可选的,所述电流源单元包括:运算放大器、第一晶体管和第二晶体管;其中,所述运算放大器的一个输入端用于输入基准电压;所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极相互连接,并共同连接至所述运算放大器的另一输入端,以及与地端之间串联有电阻;所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均连接至所述运算放大器的输出端,所述第一晶体管的漏极作为所述第一电流源的输入端,所述第二晶体管的漏极作为所述第二电流源的输入端。
可选的,还包括共模抑制负反馈单元,连接于所述电流源单元和所述比较单元之间,用于将所述第一电流源和第二电流源的输入端电压钳制为相等。
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