[发明专利]水平磨光模块

权利要求书

1.一种基板处理模块，包括：

设置在所述基板处理模块的处理区域中的可旋转真空台，所述可旋转真空台包括包含沟道阵列的支撑表面；

设置成邻近所述可旋转真空台的垫调节站；

耦接至垫承载组件的垫承载定位臂；和

致动器，所述致动器耦接至所述垫承载定位臂且被配置成将所述垫承载组件定位在第一位置上方和第二位置上方，所述第一位置设置在所述可旋转真空台的所述支撑表面之上，所述第二位置设置在所述垫调节站之上。

2.根据权利要求1所述的基板处理模块，其中所述沟道阵列中的各个沟道的宽度是约10mm或更小。

3.根据权利要求2所述的基板处理模块，其中由所述沟道阵列提供的抓握区域在设置于其上的待被处理的基板的表面区域的约5％和约30％之间，所述抓握区域包括在所述真空台的所述支撑表面中由所述沟道阵列占据的有效区域。

4.根据权利要求1所述的基板处理模块，其中所述垫承载组件的尺寸被设定成支撑直径为约67mm或更大的磨光垫。

5.根据权利要求1所述的基板处理模块，其中所述真空台的所述支撑表面与重力方向实质上正交。

6.根据权利要求1所述的基板处理模块，进一步包括设置在所述真空台的径向外部的环形基板升降机构。

7.根据权利要求6所述的基板处理模块，其中所述环形基板升降机构包括设置成邻近所述真空台的周缘的多个基板接触点，并且其中所述环形基板升降机构被配置成使得在从所述真空台的所述支撑表面提升所述基板时，所述多个基板接触点中的一者在所述多个基板接触点中的其他者之前接触基板。

8.一种处理基板的方法，包括：

将基板定位在基板处理模块的真空台上，所述真空台包括包含沟道阵列的支撑表面，其中所述真空台的所述支撑表面与重力方向实质上正交，并且其中由所述沟道阵列提供的抓握区域在定位于其上的所述基板的表面区域的约5％和约30％之间，所述抓握区域包括在所述真空台的所述支撑表面中由所述沟道阵列占据的有效区域；以及

在旋转所述基板下方的所述真空台的同时，将磨光垫推压在所述基板的表面上，其中所述磨光垫具有约67mm或更大的直径，并且在所述磨光垫和所述基板的所述表面之间施加的压力是约3psi或更大。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括真空台膜，所述真空台膜具有穿过所述真空台膜形成的所述沟道阵列，所述真空台膜利用粘合剂固定至所述真空台的吸盘板，所述吸盘板具有设置在所述吸盘板的顶表面中的多个开口，其中所述真空台膜中的所述沟道阵列与设置在其下方的所述开口中对应的开口对准。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述真空台设置在所述基板处理模块的处理区域中，所述基板处理模块包括：

包括盆体和盖体的腔室，所述盆体和所述盖体共同限定所述处理区域；

设置在所述处理区域中的所述真空台；

设置成邻近所述真空台的垫调节站；

耦接至垫承载体的垫承载定位臂；和

致动器，所述致动器耦接至所述垫承载定位臂且被配置成将垫承载组件定位在第一位置上方和第二位置上方，所述第一位置设置在所述真空台的所述支撑表面之上，所述第二位置设置在所述垫调节站之上。