[发明专利]一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组在审
申请号: | 202111307068.0 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114121442A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 尉哲元;杨旭;周永兴;魏高昊;肖尧;任鹏远;黄兴伟;秦梦洁;陈文洁;王康平;吴佳芮;魏吉文;王来利;李冰洋;于龙洋;张帆 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/32;H01F27/24;H01F17/04 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 贺小停 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电力 电子 变换器 交流 平面 绕组 | ||
1.一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,包括磁芯和绕组;所述磁芯具有腔体,所述绕组为平面绕组片水平环绕形成,绕组设置在所述腔体内;
所述绕组中平面绕组片设置多层,以最靠近零磁动势位置的层作为第1层绕组,随着绕组层远离零磁动势位置,绕组的层编号依次递增,若nm,则第n层绕组的匝数≥第m层绕组的匝数。
2.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述绕组由直线段和圆弧段组成。
3.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述绕组中的任意一层,对于绕组沿直线段行进的部分,各匝宽度相同,均为w;
对于绕组沿圆弧行进的部分,各匝宽度不同;在该层中,若总匝数为n,整个绕组的内径为r0,外径为rn,则第k匝的内径为rk-1,外径为rk,1≤k≤n,且满足rk=r0·(rn/r0)k/n,0≤k≤n。
4.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述绕组全部设置在所述腔体内,或者所述绕组部分设置在所述腔体内。
5.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述绕组采用PCB工艺或厚膜工艺等制备而成。
6.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述磁芯包括上下两部分,上下两部分正反对扣安装在绕组上,绕组端部与绕组端子连接。
7.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述磁芯的形状为EE、EI、ER、EQ、RM、EL或ELT。
8.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述平面绕组片为铜箔,铜箔水平环绕形成层状结构,每层铜箔之间设置玻璃纤维层或陶瓷层,所有铜箔外部再用绿油菲林、玻璃纤维层或陶瓷层制作绝缘层。
9.根据权利要求1所述的一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组,其特征在于,所述绕组水平环绕的形状为直线或半圆形弧道连接而成环形。
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