[发明专利]一种支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法

权利要求书

1.一种支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：在生长基底/石墨烯的石墨烯一面铺放粘性剂并加热使其熔化，室温冷却，制得生长基底/石墨烯/粘性剂复合结构；

步骤(2)：将所述步骤(1)所得的生长基底/石墨烯/粘性剂复合结构的粘性剂一面与支撑骨架进行贴合，加热，冷却，制得生长基底/石墨烯/粘性剂/支撑骨架复合结构；

步骤(3)：使用化学刻蚀的方法将所述步骤(2)所得的生长基底/石墨烯/粘性剂/支撑骨架复合结构中的生长基底去除，制得石墨烯/粘性剂/支撑骨架复合结构；

步骤(4)：将所述步骤(3)所得的石墨烯/粘性剂/支撑骨架复合结构进行冲洗处理后，将石墨烯/粘性剂/支撑骨架复合结构中的石墨烯一面与目标基底贴合，一次干燥后去除支撑骨架，二次干燥，制得目标衬底/石墨烯/粘性剂复合结构；

步骤(5)：使用有机溶剂清洗去除所述步骤(4)所得的目标衬底/石墨烯/粘性剂复合结构中的粘性剂，制得目标衬底/石墨烯结合体，清洗干燥完成转移。

2.如权利要求1所述的支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法，其特征在于，所述支撑骨架为网状结构。

3.如权利要求1所述的支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法，其特征在于，所述粘性剂为易溶性粘结剂。

4.如权利要求1所述的支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法，其特征在于，所述生长基底为金属基底；所述金属基底包括：Cu、Pt、Ni、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Pd、Au、Co-Ni、Au-Ni、Ni-Mo或不锈钢。

5.如权利要求1所述的支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法，其特征在于，所述目标衬底包括：金属基片、半导体基片、氧化物基片、聚合物基片或表面具有微纳米尺度结构的功能性衬底。

6.如权利要求1所述的支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法，其特征在于，所述步骤(3)中使用化学刻蚀的方法去除步骤(2)所得的生长基底/石墨烯/粘性剂/支撑骨架复合结构中的生长基底的具体过程为：将步骤(2)所得的生长基底/石墨烯/粘性剂/支撑骨架复合结构浮于含有质量分数为4～6％氯化氢的三氯化铁刻蚀液中，10～15min后取出即可。

7.如权利要求1所述的支撑骨架/粘性剂复合结构辅助转移石墨烯方法，其特征在于，所述步骤(5)中有机溶剂包括：正己烷、正庚烷、甲苯、二甲苯、石油醚、汽油、煤油、二氯化碳或乙酰。