[发明专利]连续电调带通滤波器在审
| 申请号: | 202111278171.7 | 申请日: | 2021-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN114050385A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
| 发明(设计)人: | 李想;蔡喆;钟鸣海;徐照旭 | 申请(专利权)人: | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) |
| 主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203;H01P1/208 |
| 代理公司: | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人: | 郭纯武 |
| 地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连续 带通滤波器 | ||
1.一种连续电调带通滤波器,包括:层叠在频率响应测试平台上的金属地载板(1)、下介质基板(2)和上介质基板(3),其特征在于,两层垂直重叠的介质基板和金属化通孔阵列构成三个矩形基片集成波导谐振腔,在下介质基板(2)上制有按线阵桥接的矩形液晶材料腔(4),矩形液晶材料腔(4)通过连通上、下介质基板的金属化通孔阵列(5),下介质基板底层(2)至三个挖空矩形槽区域,并通过底层金属地载板进行密封构成与上介质基板(3)正面金属地连接的基片集成波导矩形谐振腔,位于上介质基板(3)的第一液晶材料注入孔(8-1)和第二液晶材料注入孔(8-2)实现液晶材料的注入,将液晶材料填充于波导矩形谐振腔,并通过底层金属地载板进行密封;基片集成波导矩形谐振腔通过设置于上层介质基板(3)底面的金属贴片作为电极对液晶分子进行电场调制,整个滤波器结构通过垂直重叠导电粘合安装于金属地载板(1)上;施加外部电场通过嵌入在液晶基片集成波导谐振腔内的偏置电路对液晶材料实施调制,输入微带7-1、输出微带(7-2)转换传输结构实现微带准TEM模到基片集成波导TE101的过渡;基片集成波导通过第一谐振器(9-1),第二谐振器(9-2)以及第三谐振器(9-3)通过感性金属窗(15-1、15-2)实现信号传输能量耦合;外部电场通过从第二个谐振腔的贴片转换到上介质基板正面(3)的偏置电感(3-1)馈入,从而实现三阶基片集成波导谐振腔的带通滤波器的连续频率可调特性。
2.如权利要求1所述的连续电调带通滤波器,其特征在于:下介质基板(2)和上介质基板(3)两面皆有电路,上下电路中导带之间使用金属化过孔连接,液晶材料填充于基片集成波导谐振腔中间的下层介质基板矩形挖空区域内。
3.如权利要求1所述的连续电调带通滤波器,其特征在于:两层垂直重叠的介质基板和金属化通孔阵列构成第一谐振腔(9-1)、第二谐振腔(9-2)和第三谐振腔(9-3),三个矩形基片集成波导谐振腔液晶材料填充于基片集成波导谐振腔中间,第一液晶槽通道(16-4),第二液晶槽通道(16-5)之间的第一液晶槽(16-1)、第二液晶槽(16-2)和第三液晶槽(16-3)内,通过底层金属地载板进行密封。
4.如权利要求1所述的连续电调带通滤波器,其特征在于:设置于上层介质基板(3)地面的金属第一贴片电极(12-1)、第二贴片电极(12-2)和第三贴片电极(12-3)对液晶分子进行电场调制,联合高阻抗带线,馈电过渡,偏置电感以及输入馈电微带线构成电偏置方案,从而实现三阶基片集成波导谐振腔的带通滤波器的连续频率可调特性。
5.如权利要求1所述的连续电调带通滤波器,其特征在于:蚀刻在上介质基板底面的方形金属贴片第一段高阻抗带线(13-1)、第二段高阻抗带线(13-2)和第三段高阻抗带线(13-3)嵌入在液晶基片集成波导谐振腔内部实现电偏置方案。
6.如权利要求1所述的连续电调带通滤波器,其特征在于:位于上介质基板的第一电偏置馈电输入偏置线(10),输入馈电到贴片电极的过渡金属化通孔(11),第一段高阻抗带线(13-1),第二段高阻抗带线(13-2),第三段高阻抗带线(13-3)为全联通电路结构,实现外部电场的馈入。
7.如权利要求1所述的连续电调带通滤波器,其特征在于:上介质基板3底面金属地(14),第一谐振腔之间的感性耦合窗(15-1)和第二谐振腔之间的感性耦合窗15-2为第二和第三谐振腔之间的感性耦合窗,输入端口(15-3)输出端口(15-4)到谐振腔的感性耦合窗,实现信号能量的耦合传输。
8.如权利要求1所述的连续电调带通滤波器,其特征在于:上介质基板(3)底面金属地(14);下介质基板顶面金属地(17),下介质基板底面金属地(19),实现两层介质基板的层叠导电连接;馈电高阻抗线的让位金属槽18实现偏置电路与金属地之间的隔离。
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